参考まで
部品番号 | IRF7379PBF |
LIXINC Part # | IRF7379PBF |
メーカー | IR (Infineon Technologies) |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ |
説明 | MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | IRF7379PBF PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Sep 26 - Sep 30 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | IRF7379PBF |
ブランド: | IR (Infineon Technologies) |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ |
メーカー: | IR (Infineon Technologies) |
シリーズ: | HEXFET® |
パッケージ: | Tube |
部品の状態: | Obsolete |
フェチタイプ: | N and P-Channel |
フェチ機能: | Standard |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 30V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 5.8A, 4.3A |
(最大) @ id、vgs の rds: | 45mOhm @ 5.8A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 1V @ 250µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 25nC @ 10V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 520pF @ 25V |
パワー - 最大: | 2.5W |
動作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Surface Mount |
パッケージ・ケース: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
サプライヤー デバイス パッケージ: | 8-SO |
FDMS3660S-F121 | MOSFET 2N-CH 30V 13A/30A 8-PQFN | 860 注文の詳細 |
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ECH8651R-R-TL-H | MOSFET 2N-CH 24V 10A ECH8 | 894 注文の詳細 |
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SP8K5TB | MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8-SOIC | 981 注文の詳細 |
|
SP8J1TB | MOSFET 2P-CH 30V 5A 8-SOIC | 861 注文の詳細 |
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BSO612CV | MOSFET N/P-CH 60V 3A/2A 8SOIC | 842 注文の詳細 |
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NTZD3156CT5G | MOSFET N/P-CH 20V SOT-563 | 810 注文の詳細 |
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SIZ790DT-T1-GE3 | MOSFET 2N-CH 30V 16A 6-POWERPAIR | 931 注文の詳細 |
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SIA912DJ-T1-GE3 | MOSFET 2N-CH 12V 4.5A SC70-6 | 931 注文の詳細 |
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SI1033X-T1-E3 | MOSFET 2P-CH 20V 0.145A SOT563F | 879 注文の詳細 |
|
AON7812 | MOSFET 2N-CH 30V 6A | 807 注文の詳細 |
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IRF7756GTRPBF | MOSFET 2P-CH 12V 4.3A 8TSSOP | 985 注文の詳細 |
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PMGD370XN,115 | MOSFET 2N-CH 30V 0.74A 6TSSOP | 916 注文の詳細 |
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DMN5L06V-7 | MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT-563 | 970 注文の詳細 |
在庫あり | 10874 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
暖かいヒント: 以下のフォームに記入してください。できるだけ早くご連絡いたします。
Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.0000 | $0 |
100 | $0.0000 | $0 |
500 | $0.0000 | $0 |
1000 | $0.0000 | $0 |
2500 | $0.0000 | $0 |
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