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部品番号 | SIA912DJ-T1-GE3 |
LIXINC Part # | SIA912DJ-T1-GE3 |
メーカー | Vishay / Siliconix |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ |
説明 | MOSFET 2N-CH 12V 4.5A SC70-6 |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | SIA912DJ-T1-GE3 PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Sep 26 - Sep 30 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | SIA912DJ-T1-GE3 |
ブランド: | Vishay / Siliconix |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ |
メーカー: | Vishay / Siliconix |
シリーズ: | TrenchFET® |
パッケージ: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
部品の状態: | Obsolete |
フェチタイプ: | 2 N-Channel (Dual) |
フェチ機能: | Logic Level Gate |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 12V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 4.5A |
(最大) @ id、vgs の rds: | 40mOhm @ 4.2A, 4.5V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 1V @ 250µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 11.5nC @ 8V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 400pF @ 6V |
パワー - 最大: | 6.5W |
動作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Surface Mount |
パッケージ・ケース: | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
サプライヤー デバイス パッケージ: | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
SI1033X-T1-E3 | MOSFET 2P-CH 20V 0.145A SOT563F | 1000 注文の詳細 |
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AON7812 | MOSFET 2N-CH 30V 6A | 847 注文の詳細 |
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IRF7756GTRPBF | MOSFET 2P-CH 12V 4.3A 8TSSOP | 891 注文の詳細 |
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PMGD370XN,115 | MOSFET 2N-CH 30V 0.74A 6TSSOP | 805 注文の詳細 |
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DMN5L06V-7 | MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT-563 | 804 注文の詳細 |
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AO4830 | MOSFET 2N-CH 80V 3.5A 8SOIC | 819 注文の詳細 |
|
SI4539ADY-T1-GE3 | MOSFET N/P-CH 30V 4.4A 8-SOIC | 973 注文の詳細 |
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AON6973A | MOSFET 2N-CH 30V 22A/30A 8DFN | 993 注文の詳細 |
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NDS8926 | MOSFET DUAL N-CH 20V 8-SO | 954 注文の詳細 |
|
AO4801L | MOSFET 2P-CH 30V 5A 8SOIC | 815 注文の詳細 |
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IRF5810 | MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6TSOP | 886 注文の詳細 |
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PMWD19UN,518 | MOSFET 2N-CH 30V 5.6A 8TSSOP | 947 注文の詳細 |
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SI7842DP-T1-E3 | MOSFET 2N-CH 30V 6.3A PPAK SO-8 | 925 注文の詳細 |
在庫あり | 10827 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.0000 | $0 |
100 | $0.0000 | $0 |
500 | $0.0000 | $0 |
1000 | $0.0000 | $0 |
2500 | $0.0000 | $0 |
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