参考まで
部品番号 | SI4562DY-T1-E3 |
LIXINC Part # | SI4562DY-T1-E3 |
メーカー | Vishay / Siliconix |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ |
説明 | MOSFET N/P-CH 20V 8-SOIC |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | SI4562DY-T1-E3 PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Sep 26 - Sep 30 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | SI4562DY-T1-E3 |
ブランド: | Vishay / Siliconix |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ |
メーカー: | Vishay / Siliconix |
シリーズ: | TrenchFET® |
パッケージ: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
部品の状態: | Obsolete |
フェチタイプ: | N and P-Channel |
フェチ機能: | Logic Level Gate |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 20V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | - |
(最大) @ id、vgs の rds: | 25mOhm @ 7.1A, 4.5V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 1.6V @ 250µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 50nC @ 4.5V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | - |
パワー - 最大: | 2W |
動作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Surface Mount |
パッケージ・ケース: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
サプライヤー デバイス パッケージ: | 8-SO |
ZXMN3A04DN8TC | MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SOIC | 819 注文の詳細 |
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SI6924AEDQ-T1-GE3 | MOSFET 2N-CH 28V 4.1A 8-TSSOP | 913 注文の詳細 |
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SI1026X-T1-E3 | MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT563F | 858 注文の詳細 |
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FDMA2002NZ_F130 | INTEGRATED CIRCUIT | 964 注文の詳細 |
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SI1555DL-T1-E3 | MOSFET N/P-CH 20V/8V SC70-6 | 996 注文の詳細 |
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STS3DNE60L | MOSFET 2N-CH 60V 3A 8SOIC | 845 注文の詳細 |
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SP8M10FU6TB | MOSFET N/P-CH 30V 7A/4.5A 8SOIC | 983 注文の詳細 |
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DMC3035LSD-13 | MOSFET N/P-CH 30V 6.9A/5A 8-SOIC | 869 注文の詳細 |
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IRF7507PBF | MOSFET N/P-CH DUAL 20V MICRO-8 | 863 注文の詳細 |
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SI4834CDY-T1-E3 | MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC | 891 注文の詳細 |
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AO4840L | MOSFET N-CH DUAL 40V 8SOIC | 828 注文の詳細 |
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SI3909DV-T1-GE3 | MOSFET 2P-CH 20V 6TSOP | 869 注文の詳細 |
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AO4613 | MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC | 803 注文の詳細 |
在庫あり | 10964 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.0000 | $0 |
100 | $0.0000 | $0 |
500 | $0.0000 | $0 |
1000 | $0.0000 | $0 |
2500 | $0.0000 | $0 |
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