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部品番号 | SIB911DK-T1-GE3 |
LIXINC Part # | SIB911DK-T1-GE3 |
メーカー | Vishay / Siliconix |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ |
説明 | MOSFET 2P-CH 20V 2.6A SC75-6 |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | SIB911DK-T1-GE3 PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Sep 22 - Sep 26 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | SIB911DK-T1-GE3 |
ブランド: | Vishay / Siliconix |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ |
メーカー: | Vishay / Siliconix |
シリーズ: | TrenchFET® |
パッケージ: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
部品の状態: | Obsolete |
フェチタイプ: | 2 P-Channel (Dual) |
フェチ機能: | Standard |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 20V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 2.6A |
(最大) @ id、vgs の rds: | 295mOhm @ 1.5A, 4.5V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 1V @ 250µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 4nC @ 8V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 115pF @ 10V |
パワー - 最大: | 3.1W |
動作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Surface Mount |
パッケージ・ケース: | PowerPAK® SC-75-6L Dual |
サプライヤー デバイス パッケージ: | PowerPAK® SC-75-6L Dual |
ZXMN6A11DN8TC | MOSFET 2N-CH 60V 2.5A 8SOIC | 973 注文の詳細 |
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SP8K4FU6TB | MOSFET 2N-CH 30V 9A 8SOIC | 969 注文の詳細 |
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SI4340DY-T1-E3 | MOSFET 2N-CH 20V 7.3A 14SO | 986 注文の詳細 |
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IRFI4020H-117P | MOSFET 2N-CH 200V 9.1A TO-220FP | 974 注文の詳細 |
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AO4850 | MOSFET 2N-CH 75V 2.3A 8SOIC | 942 注文の詳細 |
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IRF7506TRPBF | MOSFET 2P-CH 30V 1.7A MICRO8 | 961 注文の詳細 |
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SI4952DY-T1-GE3 | MOSFET 2N-CH 25V 8A 8-SOIC | 944 注文の詳細 |
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SI4818DY-T1-GE3 | MOSFET 2N-CH 30V 5.3A 8-SOIC | 951 注文の詳細 |
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FDG6301N-F085P | DUAL NMOS SC70-6 25V 4OHM | 803 注文の詳細 |
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PMGD8000LN,115 | MOSFET 2N-CH 30V 0.125A 6TSSOP | 953 注文の詳細 |
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AO4613_001 | MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC | 846 注文の詳細 |
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IRF7901D1TR | MOSFET 2N-CH 30V 6.2A 8SOIC | 891 注文の詳細 |
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SP8M6FU6TB | MOSFET N/P-CH 30V 5A/3.5A 8SOIC | 832 注文の詳細 |
在庫あり | 10914 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.0000 | $0 |
100 | $0.0000 | $0 |
500 | $0.0000 | $0 |
1000 | $0.0000 | $0 |
2500 | $0.0000 | $0 |
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