SIB911DK-T1-GE3

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部品番号 SIB911DK-T1-GE3
LIXINC Part # SIB911DK-T1-GE3
メーカー Vishay / Siliconix
カテゴリー ディスクリート半導体トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
説明 MOSFET 2P-CH 20V 2.6A SC75-6
ライフサイクル アクティブ
RoHS RoHS情報なし
EDA/CAD モデル SIB911DK-T1-GE3 PCBフットプリントとシンボル
倉庫 アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区
お届け予定日 Sep 22 - Sep 26 2024(お急ぎ便をお選びください)
保証 最長1年【限定保証】*
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運送 DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

SIB911DK-T1-GE3 仕様

部品番号:SIB911DK-T1-GE3
ブランド:Vishay / Siliconix
ライフサイクル:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
カテゴリー:ディスクリート半導体
サブカテゴリ:トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
メーカー:Vishay / Siliconix
シリーズ:TrenchFET®
パッケージ:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
部品の状態:Obsolete
フェチタイプ:2 P-Channel (Dual)
フェチ機能:Standard
ドレイン-ソース間電圧 (vdss):20V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c:2.6A
(最大) @ id、vgs の rds:295mOhm @ 1.5A, 4.5V
vgs(th) (最大) @ ID:1V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs:4nC @ 8V
入力容量 (ciss) (最大) @ vds:115pF @ 10V
パワー - 最大:3.1W
動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ:Surface Mount
パッケージ・ケース:PowerPAK® SC-75-6L Dual
サプライヤー デバイス パッケージ:PowerPAK® SC-75-6L Dual

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