参考まで
部品番号 | IPG20N06S415ATMA1 |
LIXINC Part # | IPG20N06S415ATMA1 |
メーカー | Rochester Electronics |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ |
説明 | IPG20N06S4-15- 55V-60V N-CHANNEL |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | IPG20N06S415ATMA1 PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Sep 22 - Sep 26 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | IPG20N06S415ATMA1 |
ブランド: | Rochester Electronics |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ |
メーカー: | Rochester Electronics |
シリーズ: | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
パッケージ: | Bulk |
部品の状態: | Active |
フェチタイプ: | 2 N-Channel (Dual) |
フェチ機能: | Standard |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 60V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 20A |
(最大) @ id、vgs の rds: | 15.5mOhm @ 17A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 4V @ 20µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 29nC @ 10V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 2260pF @ 25V |
パワー - 最大: | 50W |
動作温度: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
取付タイプ: | Surface Mount |
パッケージ・ケース: | 8-PowerVDFN |
サプライヤー デバイス パッケージ: | PG-TDSON-8-4 |
NTE2960 | MOSFET-N-CHAN ENHANCEMENT | 1060 注文の詳細 |
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SIZ300DT-T1-GE3 | MOSFET 2N-CH 30V 11A POWERPAIR | 990 注文の詳細 |
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BSM180D12P3C007 | SIC POWER MODULE | 824 注文の詳細 |
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FDMC3300NZA | N-CHANNEL POWER MOSFET | 10053 注文の詳細 |
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PMDPB55XP,115 | MOSFET 2P-CH 20V 3.4A 6HUSON | 921 注文の詳細 |
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FW274-TL-E | N-CHANNEL MOSFET | 15885 注文の詳細 |
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ZXMC3AM832TA | MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8MLP | 1479 注文の詳細 |
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PMV50ENEA,215 | 3.9A, 30V, N CHANNEL, SILICON, M | 9997 注文の詳細 |
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CSD75301W1015 | SMALL SIGNAL P-CHANNEL MOSFET | 2210 注文の詳細 |
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PMV280ENEA,215 | 1.1A, 100V, N CHANNEL, SILICON, | 3830 注文の詳細 |
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SI7913DN-T1-E3 | MOSFET 2P-CH 20V 5A 1212-8 | 3152 注文の詳細 |
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DMN61D8LVTQ-7 | MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26 | 8769 注文の詳細 |
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SI4210DY-T1-GE3 | MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC | 1300 注文の詳細 |
在庫あり | 10998 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.53000 | $0.53 |
5000 | $0.52881 | $2644.05 |
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