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| 部品番号 | PMPB215ENEA/F,115 |
| LIXINC Part # | PMPB215ENEA/F,115 |
| メーカー | Rochester Electronics |
| カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ |
| 説明 | 80V, SINGLE N CHANNEL TRENCH MOS |
| ライフサイクル | アクティブ |
| RoHS | RoHS情報なし |
| EDA/CAD モデル | PMPB215ENEA/F,115 PCBフットプリントとシンボル |
| 倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
| お届け予定日 | Sep 22 - Sep 26 2024(お急ぎ便をお選びください) |
| 保証 | 最長1年【限定保証】* |
| 支払い | 
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| 運送 |  |
| 部品番号: | PMPB215ENEA/F,115 |
| ブランド: | Rochester Electronics |
| ライフサイクル: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
| サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ |
| メーカー: | Rochester Electronics |
| シリーズ: | * |
| パッケージ: | Bulk |
| 部品の状態: | Active |
| フェチタイプ: | - |
| フェチ機能: | - |
| ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | - |
| 電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | - |
| (最大) @ id、vgs の rds: | - |
| vgs(th) (最大) @ ID: | - |
| ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | - |
| 入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | - |
| パワー - 最大: | - |
| 動作温度: | - |
| 取付タイプ: | - |
| パッケージ・ケース: | - |
| サプライヤー デバイス パッケージ: | - |
 |
ALD212908PAL | MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8DIP | 946 注文の詳細 |
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ECH8655R-R-TL-H | MOSFET 2N-CH 24V 9A ECH8 | 893 注文の詳細 |
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DMC25D0UVT-7 | MOSFET N/P-CH 25V/30V TSOT26 | 29572978 注文の詳細 |
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SQJB42EP-T1_GE3 | MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK SO8 | 2181 注文の詳細 |
 |
SI1553CDL-T1-GE3 | MOSFET N/P-CH 20V SC70-6 | 19496 注文の詳細 |
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NTJD2152PT1G | SMALL SIGNAL P-CHANNEL MOSFET | 542153 注文の詳細 |
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SSM6N43FU,LF | MOSFET 2N-CH 20V 0.5A US6 | 6853 注文の詳細 |
 |
RM2003 | MOSFET N&P-CH 20V 3A SOT23-6 | 851 注文の詳細 |
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IRFH4257DTRPBF | IRFH4257 - HEXFET POWER MOSFET | 3340 注文の詳細 |
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SQ1922EEH-T1_GE3 | MOSFET 2N-CH 20V SC70-6 | 9349 注文の詳細 |
 |
SSM6N815R,LF | MOSFET 2N-CH 100V 2A 6TSOPF | 1208 注文の詳細 |
 |
IRF432 | HEXFET POWER MOSFETS | 2124 注文の詳細 |
 |
ALD210802PCL | MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16DIP | 995 注文の詳細 |
| 在庫あり | 12647 - 注文の詳細 |
|---|---|
| 見積もり制限 | 制限なし |
| リードタイム | 確認予定 |
| 最小 | 1 |
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| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $0.10000 | $0.1 |
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