参考まで
部品番号 | BSP149H6906XTSA1 |
LIXINC Part # | BSP149H6906XTSA1 |
メーカー | IR (Infineon Technologies) |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4 |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | BSP149H6906XTSA1 PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Jul 03 - Jul 07 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | ![]() |
運送 | ![]() |
部品番号: | BSP149H6906XTSA1 |
ブランド: | IR (Infineon Technologies) |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | IR (Infineon Technologies) |
シリーズ: | SIPMOS® |
パッケージ: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
部品の状態: | Active |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 200 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 660mA (Ta) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 0V, 10V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 1.8Ohm @ 660mA, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 1V @ 400µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 14 nC @ 5 V |
vgs (最大): | ±20V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 430 pF @ 25 V |
フェチ機能: | Depletion Mode |
消費電力 (最大): | 1.8W (Ta) |
動作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Surface Mount |
サプライヤー デバイス パッケージ: | PG-SOT223-4 |
パッケージ・ケース: | TO-261-4, TO-261AA |
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PMV170UN,215 | MOSFET N-CH 20V 1A TO236AB | 36902 注文の詳細 |
在庫あり | 19359 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $1.23000 | $1.23 |
1000 | $0.62368 | $623.68 |
2000 | $0.58640 | $1172.8 |
5000 | $0.56030 | $2801.5 |
10000 | $0.54165 | $5416.5 |
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