参考まで
| 部品番号 | RS1E300GNTB |
| LIXINC Part # | RS1E300GNTB |
| メーカー | ROHM Semiconductor |
| カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 説明 | MOSFET N-CH 30V 30A 8-HSOP |
| ライフサイクル | アクティブ |
| RoHS | RoHS情報なし |
| EDA/CAD モデル | RS1E300GNTB PCBフットプリントとシンボル |
| 倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
| お届け予定日 | Oct 06 - Oct 10 2024(お急ぎ便をお選びください) |
| 保証 | 最長1年【限定保証】* |
| 支払い | 
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| 運送 |  |
| 部品番号: | RS1E300GNTB |
| ブランド: | ROHM Semiconductor |
| ライフサイクル: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
| サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| メーカー: | ROHM Semiconductor |
| シリーズ: | * |
| パッケージ: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
| 部品の状態: | Active |
| フェチタイプ: | - |
| テクノロジー: | - |
| ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | - |
| 電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | - |
| ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | - |
| (最大) @ id、vgs の rds: | - |
| vgs(th) (最大) @ ID: | - |
| ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | - |
| vgs (最大): | - |
| 入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | - |
| フェチ機能: | - |
| 消費電力 (最大): | - |
| 動作温度: | - |
| 取付タイプ: | - |
| サプライヤー デバイス パッケージ: | - |
| パッケージ・ケース: | - |
 |
BUK754R0-40C,127 | MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB | 1973 注文の詳細 |
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PMF3800SN,115 | MOSFET N-CH 60V 260MA SC70 | 1896130 注文の詳細 |
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IPB200N15N3GATMA1 | MOSFET N-CH 150V 50A D2PAK | 1254 注文の詳細 |
 |
SFW2955TM | P-CHANNEL POWER MOSFET | 2999 注文の詳細 |
 |
SIHW47N60EF-GE3 | MOSFET N-CH 600V 47A TO247AD | 948 注文の詳細 |
 |
TPH3202PD | GANFET N-CH 600V 9A TO220AB | 852 注文の詳細 |
 |
FDD6606 | MOSFET N-CH 30V 75A DPAK | 215476 注文の詳細 |
 |
ZVP3306FTA | MOSFET P-CH 60V 90MA SOT23-3 | 40607 注文の詳細 |
 |
NTD4963N-35G | MOSFET N-CH 30V 8.1A/44A IPAK | 18282 注文の詳細 |
 |
SI7820DN-T1-E3 | MOSFET N-CH 200V 1.7A PPAK1212-8 | 1613 注文の詳細 |
 |
XPH3R114MC,L1XHQ | MOSFET P-CH 40V 100A 8SOP | 4195 注文の詳細 |
 |
AOT8N65 | MOSFET N-CH 650V 8A TO220 | 987 注文の詳細 |
 |
AONS66402 | MOSFET N-CH 40V 49A/85A | 847 注文の詳細 |
| 在庫あり | 10898 - 注文の詳細 |
|---|---|
| 見積もり制限 | 制限なし |
| リードタイム | 確認予定 |
| 最小 | 1 |
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| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $0.94000 | $0.94 |
| 2500 | $0.39760 | $994 |
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