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部品番号 | TK42E12N1,S1X |
LIXINC Part # | TK42E12N1,S1X |
メーカー | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET N CH 120V 88A TO-220 |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | TK42E12N1,S1X PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Oct 08 - Oct 12 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
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部品番号: | TK42E12N1,S1X |
ブランド: | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
シリーズ: | U-MOSVIII-H |
パッケージ: | Tube |
部品の状態: | Active |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 120 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 88A (Tc) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 10V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 9.4mOhm @ 21A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 4V @ 1mA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 52 nC @ 10 V |
vgs (最大): | ±20V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 3100 pF @ 60 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 140W (Tc) |
動作温度: | 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Through Hole |
サプライヤー デバイス パッケージ: | TO-220 |
パッケージ・ケース: | TO-220-3 |
STL6N3LLH6 | MOSFET N-CH 30V POWERFLAT | 979 注文の詳細 |
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IXFB210N20P | MOSFET N-CH 200V 210A PLUS264 | 2716 注文の詳細 |
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RM2333 | MOSFET P-CHANNEL 12V 6A SOT23 | 932 注文の詳細 |
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SPB02N60C3 | N-CHANNEL POWER MOSFET | 12318 注文の詳細 |
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NTD95N02RT4G | MOSFET N-CH 24V 12A/32A DPAK | 3345 注文の詳細 |
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TK7A60W5,S5VX | MOSFET N-CH 600V 7A TO220SIS | 945 注文の詳細 |
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FDB7030BLS | N-CHANNEL POWER MOSFET | 35337 注文の詳細 |
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IXTR210P10T | MOSFET P-CH 100V 195A ISOPLUS247 | 894 注文の詳細 |
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FQD9N25TM-F085 | MOSFET N-CH 250V 7.4A DPAK | 912 注文の詳細 |
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STB10LN80K5 | MOSFET N-CHANNEL 800V 8A D2PAK | 1695 注文の詳細 |
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STD13N60M6 | MOSFET N-CH 600V 10A DPAK | 874 注文の詳細 |
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NVMFS6H858NWFT1G | MOSFET N-CH 80V 8.4A/29A 5DFN | 9962 注文の詳細 |
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RQ5C030TPTL | MOSFET P-CH 20V 3A TSMT3 | 6994 注文の詳細 |
在庫あり | 10948 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.89813 | $0.89813 |
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