参考まで
部品番号 | RSD221N06TL |
LIXINC Part # | RSD221N06TL |
メーカー | ROHM Semiconductor |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET N-CH 60V 22A CPT3 |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | RSD221N06TL PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Oct 10 - Oct 14 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | RSD221N06TL |
ブランド: | ROHM Semiconductor |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | ROHM Semiconductor |
シリーズ: | - |
パッケージ: | Tape & Reel (TR) |
部品の状態: | Not For New Designs |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 60 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 22A (Tc) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 4V, 10V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 26mOhm @ 22A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 3V @ 1mA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 30 nC @ 10 V |
vgs (最大): | ±20V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 1500 pF @ 10 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 850mW (Ta), 20W (Tc) |
動作温度: | 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Surface Mount |
サプライヤー デバイス パッケージ: | CPT3 |
パッケージ・ケース: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
BUK6607-75C,118 | MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK | 14812 注文の詳細 |
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APT30F50S | MOSFET N-CH 500V 30A D3PAK | 834 注文の詳細 |
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DMP6350S-13 | MOSFET P-CH 60V 1.5A SOT23 | 986 注文の詳細 |
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DMN2026UVT-13 | MOSFET N-CH 20V 6.2A TSOT-26 | 20894 注文の詳細 |
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SUD25N15-52-T4-E3 | MOSFET N-CH 150V 25A TO252 | 950 注文の詳細 |
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RMD1N25ES9 | MOSFET N-CHANNEL 25V 1.1A SOT363 | 894 注文の詳細 |
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RTR020P02TL | MOSFET P-CH 20V 2A TSMT3 | 11110 注文の詳細 |
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FQU3N40TU | MOSFET N-CH 400V 2A IPAK | 3732 注文の詳細 |
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NTMFS4821NT1G | MOSFET N-CH 30V 8.8A/58.5A 5DFN | 287027803 注文の詳細 |
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IRFZ44ESPBF | HEXFET POWER MOSFET | 888 注文の詳細 |
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2SK3800VR | MOSFET N-CH 40V 70A TO220S | 892 注文の詳細 |
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FQI2P25TU | MOSFET P-CH 250V 2.3A I2PAK | 2000 注文の詳細 |
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IPB65R150CFDATMA2 | MOSFET N-CH 650V 22.4A TO263-3 | 984 注文の詳細 |
在庫あり | 10871 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.59136 | $0.59136 |
2500 | $0.57895 | $1447.375 |
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