IRFH4210DTRPBF

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部品番号 IRFH4210DTRPBF
LIXINC Part # IRFH4210DTRPBF
メーカー Rochester Electronics
カテゴリー ディスクリート半導体トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
説明 HEXFET POWER MOSFET
ライフサイクル アクティブ
RoHS RoHS情報なし
EDA/CAD モデル IRFH4210DTRPBF PCBフットプリントとシンボル
倉庫 アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区
お届け予定日 Oct 10 - Oct 14 2024(お急ぎ便をお選びください)
保証 最長1年【限定保証】*
支払い Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
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IRFH4210DTRPBF 仕様

部品番号:IRFH4210DTRPBF
ブランド:Rochester Electronics
ライフサイクル:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
カテゴリー:ディスクリート半導体
サブカテゴリ:トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
メーカー:Rochester Electronics
シリーズ:HEXFET®
パッケージ:Bulk
部品の状態:Active
フェチタイプ:N-Channel
テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース間電圧 (vdss):25 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c:44A (Ta)
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン):4.5V, 10V
(最大) @ id、vgs の rds:1.1mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (最大) @ ID:2.1V @ 100µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs:77 nC @ 10 V
vgs (最大):±20V
入力容量 (ciss) (最大) @ vds:4.812 pF @ 13 V
フェチ機能:-
消費電力 (最大):3.5W (Ta), 125W (Tc)
動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ:Surface Mount
サプライヤー デバイス パッケージ:PQFN (5x6)
パッケージ・ケース:8-PowerTDFN

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