参考まで
部品番号 | BUK754R0-55B,127 |
LIXINC Part # | BUK754R0-55B,127 |
メーカー | Rochester Electronics |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | PFET, 75A I(D), 55V, 0.004OHM, 1 |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | BUK754R0-55B,127 PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Sep 24 - Sep 28 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | BUK754R0-55B,127 |
ブランド: | Rochester Electronics |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Rochester Electronics |
シリーズ: | TrenchMOS™ |
パッケージ: | Tube |
部品の状態: | Active |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 55 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 75A (Tc) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 10V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 4mOhm @ 25A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 4V @ 1mA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 86 nC @ 10 V |
vgs (最大): | ±20V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 6.776 pF @ 25 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 300W (Tc) |
動作温度: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
取付タイプ: | Through Hole |
サプライヤー デバイス パッケージ: | TO-220AB |
パッケージ・ケース: | TO-220-3 |
FDP12N50 | MOSFET N-CH 500V 11.5A TO220-3 | 2243 注文の詳細 |
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SIR873DP-T1-GE3 | MOSFET P-CH 150V 37A PPAK SO-8 | 944 注文の詳細 |
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NTE2385 | MOSFET N-CHANNEL 500V 8A TO220 | 1349 注文の詳細 |
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RM3400 | MOSFET N-CHANNEL 30V 5.8A SOT23 | 818 注文の詳細 |
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BSZ028N04LSATMA1 | MOSFET N-CH 40V 21A/40A TSDSON | 10164 注文の詳細 |
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AUIRFU8405 | MOSFET N-CH 40V 100A I-PAK | 6996 注文の詳細 |
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DMN2075UDW-7 | MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT363 | 882 注文の詳細 |
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STD18NF25 | MOSFET N-CH 250V 17A DPAK | 938 注文の詳細 |
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IXFK320N17T2 | MOSFET N-CH 170V 320A TO264AA | 494191 注文の詳細 |
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IPA90R800C3 | MOSFET N-CH 900V 6.9A TO220 | 975 注文の詳細 |
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NVTFWS003N04CTAG | MOSFET N-CH 40V 22A/103A 8WDFN | 6808 注文の詳細 |
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SQJ412EP-T1_GE3 | MOSFET N-CH 40V 32A PPAK SO-8 | 12613 注文の詳細 |
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BSS606NH6327XTSA1 | MOSFET N-CH 60V 3.2A SOT89 | 5552 注文の詳細 |
在庫あり | 12421 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.71000 | $0.71 |
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