参考まで
部品番号 | STI33N60M6 |
LIXINC Part # | STI33N60M6 |
メーカー | STMicroelectronics |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET N-CH 600V 25A I2PAK |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | STI33N60M6 PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Sep 26 - Sep 30 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
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部品番号: | STI33N60M6 |
ブランド: | STMicroelectronics |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | STMicroelectronics |
シリーズ: | MDmesh™ M6 |
パッケージ: | Tube |
部品の状態: | Active |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 600 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 25A (Tc) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 10V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 125mOhm @ 12.5A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 4.75V @ 250µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 33.4 nC @ 10 V |
vgs (最大): | ±25V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 1515 pF @ 100 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 190W (Tc) |
動作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Through Hole |
サプライヤー デバイス パッケージ: | I2PAK (TO-262) |
パッケージ・ケース: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
SCT3080ARC14 | SICFET N-CH 650V 30A TO247-4L | 1225 注文の詳細 |
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TSM8N80CI C0G | MOSFET N-CH 800V 8A ITO220AB | 859 注文の詳細 |
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FDT3N40TF | MOSFET N-CH 400V 2A SOT223-4 | 10631 注文の詳細 |
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2SK2008-E | N-CHANNEL POWER MOSFET | 955 注文の詳細 |
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FCH077N65F-F085 | MOSFET N-CH 650V 54A TO247-3 | 1207 注文の詳細 |
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AOD600A60 | MOSFET N-CH 600V 8A TO252 | 3371 注文の詳細 |
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IXTP94N20X4 | MOSFET 200V 94A N-CH ULTRA TO220 | 851 注文の詳細 |
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IRF8113TRPBF | MOSFET N-CH 30V 17.2A 8SO | 3048 注文の詳細 |
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HUF76439S3S | MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK | 926 注文の詳細 |
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IRFP450PBF | MOSFET N-CH 500V 14A TO247-3 | 2679 注文の詳細 |
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CSD17573Q5BT | MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON | 12350 注文の詳細 |
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FQA10N80 | MOSFET N-CH 800V 9.8A TO3P | 59067 注文の詳細 |
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DMP2021UFDE-13 | MOSFET P-CH 20V 11.1A 6UDFN | 860 注文の詳細 |
在庫あり | 10953 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $2.51335 | $2.51335 |
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