参考まで
部品番号 | AUIRFS3207Z-INF |
LIXINC Part # | AUIRFS3207Z-INF |
メーカー | Rochester Electronics |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | AUIRFS3207Z-INF PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Sep 21 - Sep 25 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | AUIRFS3207Z-INF |
ブランド: | Rochester Electronics |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Rochester Electronics |
シリーズ: | Automotive, AEC-Q101, HEXFET® |
パッケージ: | Bulk |
部品の状態: | Active |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 75 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 120A (Tc) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | - |
(最大) @ id、vgs の rds: | 4.1mOhm @ 75A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 4V @ 150µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 170 nC @ 10 V |
vgs (最大): | ±20V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 6920 pF @ 50 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 300W (Tc) |
動作温度: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
取付タイプ: | Surface Mount |
サプライヤー デバイス パッケージ: | D2PAK |
パッケージ・ケース: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
FDMS86550ET60 | MOSFET N-CH 60V 32A/245A POWER56 | 29883952 注文の詳細 |
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FDS7066ASN3 | MOSFET N-CH 30V 19A 8SO | 622360 注文の詳細 |
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MVSF2N02ELT1G | MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT23-3 | 71793803 注文の詳細 |
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FDD5614P | MOSFET P-CH 60V 15A TO252 | 995 注文の詳細 |
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EPC2021 | GANFET N-CH 80V 90A DIE | 13021 注文の詳細 |
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ZXMN3B04N8TA | MOSFET N-CH 30V 7.2A 8SO | 925 注文の詳細 |
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FQD5N20LTM | MOSFET N-CH 200V 3.8A DPAK | 2727 注文の詳細 |
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IXFH13N80 | MOSFET N-CH 800V 13A TO247AD | 1489 注文の詳細 |
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IPA60R520E6XKSA1 | MOSFET N-CH 600V 8.1A TO220-FP | 959 注文の詳細 |
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DKI06186 | MOSFET N-CH 60V 31A TO252 | 937 注文の詳細 |
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IRFR4105TRLPBF | MOSFET N-CH 55V 27A DPAK | 895 注文の詳細 |
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IPT004N03LATMA1 | MOSFET N-CH 30V 300A 8HSOF | 863 注文の詳細 |
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IPW60R199CP | 16A, 600V, 0.199OHM, N-CHANNEL M | 816 注文の詳細 |
在庫あり | 11049 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $2.08000 | $2.08 |
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