参考まで
部品番号 | IPW50R199CPFKSA1 |
LIXINC Part # | IPW50R199CPFKSA1 |
メーカー | Rochester Electronics |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET N-CH 550V 17A TO247-3 |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | IPW50R199CPFKSA1 PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Sep 21 - Sep 25 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | IPW50R199CPFKSA1 |
ブランド: | Rochester Electronics |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Rochester Electronics |
シリーズ: | CoolMOS™ |
パッケージ: | Tube |
部品の状態: | Obsolete |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 550 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 17A (Tc) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 10V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 199mOhm @ 9.9A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 3.5V @ 660µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 45 nC @ 10 V |
vgs (最大): | ±20V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 1.8 pF @ 100 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 139W (Tc) |
動作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Through Hole |
サプライヤー デバイス パッケージ: | PG-TO247-3 |
パッケージ・ケース: | TO-247-3 |
SCTW100N65G2AG | SICFET N-CH 650V 100A HIP247 | 2482 注文の詳細 |
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BSS119NH6327XTSA1 | MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3 | 30385 注文の詳細 |
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BUK7523-75A,127 | MOSFET N-CH 75V 53A TO220AB | 886 注文の詳細 |
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AUIRF7207Q | MOSFET P-CH 20V 5.4A 8SO | 928 注文の詳細 |
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APT29F80J | MOSFET N-CH 800V 31A ISOTOP | 893 注文の詳細 |
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FDS3580 | MOSFET N-CH 80V 7.6A 8SOIC | 3849 注文の詳細 |
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NTD3055-094-1G | MOSFET N-CH 60V 12A IPAK | 102320 注文の詳細 |
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DMN30H4D0L-7 | MOSFET N-CH 300V 250MA SOT23 | 973 注文の詳細 |
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SQM100N10-10_GE3 | MOSFET N-CH 100V 100A TO263 | 1378 注文の詳細 |
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AUIRFR4615TRL | MOSFET N-CH 150V 33A DPAK | 941 注文の詳細 |
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STP5NK65ZFP | MOSFET N-CH 650V 4.5A TO220FP | 929 注文の詳細 |
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STW12NK80Z | MOSFET N-CH 800V 10.5A TO247-3 | 1489 注文の詳細 |
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SQM120N06-06_GE3 | MOSFET N-CH 60V 120A TO263 | 1520 注文の詳細 |
在庫あり | 10844 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $1.65000 | $1.65 |
240 | $1.65000 | $396 |
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