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部品番号 | SIHFL9014TR-GE3 |
LIXINC Part # | SIHFL9014TR-GE3 |
メーカー | Vishay / Siliconix |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET P-CH 60V 1.8A SOT223 |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | SIHFL9014TR-GE3 PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Jul 09 - Jul 13 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
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部品番号: | SIHFL9014TR-GE3 |
ブランド: | Vishay / Siliconix |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Vishay / Siliconix |
シリーズ: | - |
パッケージ: | Tape & Reel (TR) |
部品の状態: | Active |
フェチタイプ: | P-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 60 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 1.8A (Tc) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 10V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 500mOhm @ 1.1A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 4V @ 250µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 12 nC @ 10 V |
vgs (最大): | ±20V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 270 pF @ 25 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 2W (Ta), 3.1W (Tc) |
動作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Surface Mount |
サプライヤー デバイス パッケージ: | SOT-223 |
パッケージ・ケース: | TO-261-4, TO-261AA |
IRLR3636TRLPBF | MOSFET N-CH 60V 50A DPAK | 3711 注文の詳細 |
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MCH6431-TL-H | MOSFET N-CH 30V 5A 6MCPH | 39052 注文の詳細 |
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RMP3N90LD | MOSFET N-CHANNEL 900V 3A TO252-2 | 834 注文の詳細 |
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SCTH35N65G2V-7AG | SICFET N-CH 650V 45A H2PAK-7 | 1841 注文の詳細 |
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IPT60R080G7XTMA1 | MOSFET N-CH 650V 29A 8HSOF | 3002 注文の詳細 |
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FQPF13N06L | MOSFET N-CH 60V 10A TO220F | 16057839 注文の詳細 |
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DMT47M2SFVW-7 | MOSFET N-CH 40V PWRDI3333 | 10879 注文の詳細 |
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DMT4005SCT | MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB | 4051 注文の詳細 |
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DMG2305UX-13 | MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23 | 716378 注文の詳細 |
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CSD18504Q5AT | MOSFET N-CH 40V 50A 8VSON | 2913 注文の詳細 |
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BSP129H6906XTSA1 | MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223-4 | 1354 注文の詳細 |
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SIR690DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 200V 34.4A PPAK SO-8 | 3360 注文の詳細 |
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SIHH080N60E-T1-GE3 | E SERIES POWER MOSFET POWERPAK 8 | 847 注文の詳細 |
在庫あり | 10952 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.31900 | $0.319 |
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