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| 部品番号 | 2SK2529-E |
| LIXINC Part # | 2SK2529-E |
| メーカー | Rochester Electronics |
| カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 説明 | N-CHANNEL POWER MOSFET |
| ライフサイクル | アクティブ |
| RoHS | RoHS情報なし |
| EDA/CAD モデル | 2SK2529-E PCBフットプリントとシンボル |
| 倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
| お届け予定日 | Oct 09 - Oct 13 2024(お急ぎ便をお選びください) |
| 保証 | 最長1年【限定保証】* |
| 支払い | 
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| 運送 |  |
| 部品番号: | 2SK2529-E |
| ブランド: | Rochester Electronics |
| ライフサイクル: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
| サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| メーカー: | Rochester Electronics |
| シリーズ: | * |
| パッケージ: | Bulk |
| 部品の状態: | Active |
| フェチタイプ: | - |
| テクノロジー: | - |
| ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | - |
| 電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | - |
| ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | - |
| (最大) @ id、vgs の rds: | - |
| vgs(th) (最大) @ ID: | - |
| ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | - |
| vgs (最大): | - |
| 入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | - |
| フェチ機能: | - |
| 消費電力 (最大): | - |
| 動作温度: | - |
| 取付タイプ: | - |
| サプライヤー デバイス パッケージ: | - |
| パッケージ・ケース: | - |
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FQAF44N10 | MOSFET N-CH 100V 33A TO3PF | 1887 注文の詳細 |
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NTR4501NT3G | MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT23-3 | 38853 注文の詳細 |
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STU12N60M2 | MOSFET N-CH 600V 9A IPAK | 825 注文の詳細 |
 |
SI3499DV-T1-GE3 | MOSFET P-CH 8V 5.3A 6TSOP | 5893 注文の詳細 |
 |
STD95N04 | MOSFET N-CH 40V 80A DPAK | 1531 注文の詳細 |
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IRF6722MTRPBF | MOSFET N-CH 30V 13A/56A DIRECTFT | 15884 注文の詳細 |
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NVMFS5C628NLWFAFT1G | MOSFET N-CH 60V 28A/150A 5DFN | 7440 注文の詳細 |
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IRFBF20STRLPBF | MOSFET N-CH 900V 1.7A D2PAK | 1069 注文の詳細 |
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DMTH10H015SPS-13 | MOSFET N-CH 100V PWRDI5060 | 840 注文の詳細 |
 |
BSN20,215 | MOSFET N-CH 50V 173MA TO236AB | 199812 注文の詳細 |
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NP110N055PUK-E1-AY | MOSFET N-CH 55V 110A TO263 | 991 注文の詳細 |
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TK110A10PL,S4X | X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR | 992 注文の詳細 |
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BSC079N03LSCGATMA1 | MOSFET N-CH 30V 14A/50A TDSON | 5093 注文の詳細 |
| 在庫あり | 11125 - 注文の詳細 |
|---|---|
| 見積もり制限 | 制限なし |
| リードタイム | 確認予定 |
| 最小 | 1 |
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| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $1.41000 | $1.41 |
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