参考まで
部品番号 | BSN20,215 |
LIXINC Part # | BSN20,215 |
メーカー | Rochester Electronics |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET N-CH 50V 173MA TO236AB |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | BSN20,215 PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Oct 09 - Oct 13 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | BSN20,215 |
ブランド: | Rochester Electronics |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Rochester Electronics |
シリーズ: | TrenchMOS™ |
パッケージ: | Bulk |
部品の状態: | Obsolete |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 50 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 173mA (Ta) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 5V, 10V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 15Ohm @ 100mA, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 1V @ 1mA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | - |
vgs (最大): | ±20V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 25 pF @ 10 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 830mW (Tc) |
動作温度: | -65°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Surface Mount |
サプライヤー デバイス パッケージ: | TO-236AB |
パッケージ・ケース: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
NP110N055PUK-E1-AY | MOSFET N-CH 55V 110A TO263 | 939 注文の詳細 |
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TK110A10PL,S4X | X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR | 1106 注文の詳細 |
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BSC079N03LSCGATMA1 | MOSFET N-CH 30V 14A/50A TDSON | 4968 注文の詳細 |
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IPD65R660CFDATMA1 | MOSFET N-CH 650V 6A TO252-3 | 814 注文の詳細 |
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SI2319DS-T1-E3 | MOSFET P-CH 40V 2.3A SOT23-3 | 889 注文の詳細 |
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SI4116DY-T1-GE3 | MOSFET N-CH 25V 18A 8SO | 17648 注文の詳細 |
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LSIC1MO170E1000 | SICFET N-CH 1700V 5A TO247-3L | 876 注文の詳細 |
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SUP60020E-GE3 | MOSFET N-CH 80V 150A TO220AB | 1551 注文の詳細 |
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BTS114AE3045A | N-CHANNEL POWER MOSFET | 13179 注文の詳細 |
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IRFS5615TRLPBF | IRFS5615 - DIGITAL AUDIO MOSFET | 972 注文の詳細 |
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FDMS3662 | MOSFET N-CH 100V 8.9A/49A 8PQFN | 11423 注文の詳細 |
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RQ6E085BNTCR | MOSFET N-CH 30V 8.5A SOT457 | 1840 注文の詳細 |
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APT43M60L | MOSFET N-CH 600V 45A TO264 | 835 注文の詳細 |
在庫あり | 199934 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.08000 | $0.08 |
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