参考まで
| 部品番号 | 5HN02N |
| LIXINC Part # | 5HN02N |
| メーカー | Rochester Electronics |
| カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 説明 | N-CHANNEL SILICON MOSFET |
| ライフサイクル | アクティブ |
| RoHS | RoHS情報なし |
| EDA/CAD モデル | 5HN02N PCBフットプリントとシンボル |
| 倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
| お届け予定日 | Sep 26 - Sep 30 2024(お急ぎ便をお選びください) |
| 保証 | 最長1年【限定保証】* |
| 支払い | 
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| 運送 |  |
| 部品番号: | 5HN02N |
| ブランド: | Rochester Electronics |
| ライフサイクル: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
| サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| メーカー: | Rochester Electronics |
| シリーズ: | * |
| パッケージ: | Bulk |
| 部品の状態: | Active |
| フェチタイプ: | - |
| テクノロジー: | - |
| ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | - |
| 電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | - |
| ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | - |
| (最大) @ id、vgs の rds: | - |
| vgs(th) (最大) @ ID: | - |
| ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | - |
| vgs (最大): | - |
| 入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | - |
| フェチ機能: | - |
| 消費電力 (最大): | - |
| 動作温度: | - |
| 取付タイプ: | - |
| サプライヤー デバイス パッケージ: | - |
| パッケージ・ケース: | - |
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IRF40R207 | MOSFET N-CH 40V 56A TO252 | 831 注文の詳細 |
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AOD2910E | MOSFET N-CH 100V 37A TO252 | 957 注文の詳細 |
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ZXMN3B01FTC | MOSFET N-CH 30V 1.7A SOT23 | 968 注文の詳細 |
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G3R75MT12J | SIC MOSFET N-CH 42A TO263-7 | 1348 注文の詳細 |
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IRF740ASTRLPBF | MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK | 1158 注文の詳細 |
 |
SQ2310ES-T1_GE3 | MOSFET N-CH 20V 6A TO236 | 72370 注文の詳細 |
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SI7686DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8 | 3861 注文の詳細 |
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IPI04N03LA | MOSFET N-CH 25V 80A TO262-3 | 1833 注文の詳細 |
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IPB35N10S3L26ATMA1 | MOSFET N-CH 100V 35A D2PAK | 917 注文の詳細 |
 |
TK200F04N1L,LXGQ | MOSFET N-CH 40V 200A TO220SM | 2312 注文の詳細 |
 |
CSD16404Q5A | MOSFET N-CH 25V 21A/81A 8VSON | 3248 注文の詳細 |
 |
PSMN5R0-80BS,118 | MOSFET N-CH 80V 100A D2PAK | 919 注文の詳細 |
 |
SFU9224TU | P-CHANNEL POWER MOSFET | 274362 注文の詳細 |
| 在庫あり | 38498 - 注文の詳細 |
|---|---|
| 見積もり制限 | 制限なし |
| リードタイム | 確認予定 |
| 最小 | 1 |
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| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $0.09000 | $0.09 |
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