参考まで
部品番号 | MTB10N40E |
LIXINC Part # | MTB10N40E |
メーカー | Rochester Electronics |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | N-CHANNEL POWER MOSFET |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | MTB10N40E PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Sep 26 - Sep 30 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | MTB10N40E |
ブランド: | Rochester Electronics |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Rochester Electronics |
シリーズ: | * |
パッケージ: | Bulk |
部品の状態: | Active |
フェチタイプ: | - |
テクノロジー: | - |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | - |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | - |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | - |
(最大) @ id、vgs の rds: | - |
vgs(th) (最大) @ ID: | - |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | - |
vgs (最大): | - |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | - |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | - |
動作温度: | - |
取付タイプ: | - |
サプライヤー デバイス パッケージ: | - |
パッケージ・ケース: | - |
RQ3E180BNTB | MOSFET N-CHANNEL 30V 39A 8HSMT | 1238 注文の詳細 |
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IPW60R037CSFDXKSA1 | MOSFET N CH | 1054 注文の詳細 |
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STD65N55F3 | MOSFET N-CH 55V 80A DPAK | 834 注文の詳細 |
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SIHG24N65E-E3 | MOSFET N-CH 650V 24A TO247AC | 998 注文の詳細 |
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IRLIZ44GPBF | MOSFET N-CH 60V 30A TO220-3 | 1673 注文の詳細 |
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IPW60R330P6FKSA1 | MOSFET N-CH 600V 12A TO247-3 | 29620 注文の詳細 |
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NDPL180N10BG | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR | 1415 注文の詳細 |
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PHK5NQ15T,518 | MOSFET N-CH 150V 5A 8SO | 846 注文の詳細 |
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SUM50010E-GE3 | MOSFET N-CH 60V 150A TO263 | 1537 注文の詳細 |
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BSC040N10NS5ATMA1 | MOSFET N-CH 100V 100A TDSON | 27215 注文の詳細 |
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IPB60R299CPATMA1 | MOSFET N-CH 600V 11A TO263-3 | 19705 注文の詳細 |
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SI2393DS-T1-GE3 | MOSFET P-CH 30V 6.1A/7.5A SOT23 | 10560 注文の詳細 |
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SQS401ENW-T1_GE3 | MOSFET P-CH 40V 16A PPAK1212-8 | 3958 注文の詳細 |
在庫あり | 79355 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $1.53000 | $1.53 |
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