参考まで
| 部品番号 | BSZ100N03MSGATMA1 |
| LIXINC Part # | BSZ100N03MSGATMA1 |
| メーカー | IR (Infineon Technologies) |
| カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 説明 | MOSFET N-CH 30V 10A/40A 8TSDSON |
| ライフサイクル | アクティブ |
| RoHS | RoHS情報なし |
| EDA/CAD モデル | BSZ100N03MSGATMA1 PCBフットプリントとシンボル |
| 倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
| お届け予定日 | Jul 03 - Jul 07 2024(お急ぎ便をお選びください) |
| 保証 | 最長1年【限定保証】* |
| 支払い | 
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| 運送 |  |
| 部品番号: | BSZ100N03MSGATMA1 |
| ブランド: | IR (Infineon Technologies) |
| ライフサイクル: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
| サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| メーカー: | IR (Infineon Technologies) |
| シリーズ: | OptiMOS™ |
| パッケージ: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
| 部品の状態: | Active |
| フェチタイプ: | N-Channel |
| テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 30 V |
| 電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 10A (Ta), 40A (Tc) |
| ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 4.5V, 10V |
| (最大) @ id、vgs の rds: | 9.1mOhm @ 20A, 10V |
| vgs(th) (最大) @ ID: | 2V @ 250µA |
| ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 23 nC @ 10 V |
| vgs (最大): | ±20V |
| 入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 1700 pF @ 15 V |
| フェチ機能: | - |
| 消費電力 (最大): | 2.1W (Ta), 30W (Tc) |
| 動作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ: | Surface Mount |
| サプライヤー デバイス パッケージ: | PG-TSDSON-8 |
| パッケージ・ケース: | 8-PowerTDFN |
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TSM60N750CP ROG | MOSFET N-CHANNEL 600V 6A TO252 | 892 注文の詳細 |
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SIA462DJ-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SC70-6 | 1033 注文の詳細 |
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IRFR13N15DTRPBF | MOSFET N-CH 150V 14A DPAK | 946 注文の詳細 |
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SPA15N60CFDXKSA1 | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1 | 1340 注文の詳細 |
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RU1C001UNTCL | MOSFET N-CH 20V 100MA UMT3F | 3212 注文の詳細 |
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DMT6016LSS-13 | MOSFET N-CH 60V 9.2A 8SO | 983 注文の詳細 |
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FDD6670AS | MOSFET N-CH 30V 76A TO252 | 1404 注文の詳細 |
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IRLL024ZPBF | MOSFET N-CH 55V 5A SOT223 | 956 注文の詳細 |
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IRFZ44RPBF-BE3 | MOSFET N-CH 60V 50A TO220AB | 1821 注文の詳細 |
| 在庫あり | 14540 - 注文の詳細 |
|---|---|
| 見積もり制限 | 制限なし |
| リードタイム | 確認予定 |
| 最小 | 1 |
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| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $0.74000 | $0.74 |
| 5000 | $0.29021 | $1451.05 |
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