参考まで
部品番号 | SISH101DN-T1-GE3 |
LIXINC Part # | SISH101DN-T1-GE3 |
メーカー | Vishay / Siliconix |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET P-CH 30V 16.9A/35A PPAK |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | SISH101DN-T1-GE3 PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Jul 05 - Jul 09 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
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運送 | ![]() |
部品番号: | SISH101DN-T1-GE3 |
ブランド: | Vishay / Siliconix |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Vishay / Siliconix |
シリーズ: | TrenchFET® |
パッケージ: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
部品の状態: | Active |
フェチタイプ: | P-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 30 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 16.9A (Ta), 35A (Tc) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 4.5V, 10V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 7.2mOhm @ 15A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 2.5V @ 250µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 102 nC @ 10 V |
vgs (最大): | ±25V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 3595 pF @ 15 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 3.7W (Ta), 52W (Tc) |
動作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Surface Mount |
サプライヤー デバイス パッケージ: | PowerPAK® 1212-8SH |
パッケージ・ケース: | PowerPAK® 1212-8SH |
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IRFR010PBF | MOSFET N-CH 50V 8.2A DPAK | 3201 注文の詳細 |
在庫あり | 18404 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.80000 | $0.8 |
3000 | $0.33901 | $1017.03 |
6000 | $0.31701 | $1902.06 |
15000 | $0.30600 | $4590 |
30000 | $0.30000 | $9000 |
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