参考まで
部品番号 | NTD20N06-1G |
LIXINC Part # | NTD20N06-1G |
メーカー | Rochester Electronics |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET N-CH 60V 20A IPAK |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | NTD20N06-1G PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Sep 24 - Sep 28 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | NTD20N06-1G |
ブランド: | Rochester Electronics |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Rochester Electronics |
シリーズ: | - |
パッケージ: | Tube |
部品の状態: | Obsolete |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 60 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 20A (Ta) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 10V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 46mOhm @ 10A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 4V @ 250µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 30 nC @ 10 V |
vgs (最大): | ±20V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 1.015 pF @ 25 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 1.88W (Ta), 60W (Tj) |
動作温度: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
取付タイプ: | Through Hole |
サプライヤー デバイス パッケージ: | I-PAK |
パッケージ・ケース: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
IPP65R660CFD | N-CHANNEL POWER MOSFET | 5488 注文の詳細 |
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AUIRF3805L | MOSFET N-CH 55V 160A TO262 | 2940 注文の詳細 |
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IXFA180N10T2 | MOSFET N-CH 100V 180A TO263 | 853 注文の詳細 |
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IPP100N04S303AKSA1 | IPP100N04 - OPTIMOS N-CHANNEL | 1388 注文の詳細 |
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BSZ900N20NS3GATMA1 | MOSFET N-CH 200V 15.2A 8TSDSON | 23555 注文の詳細 |
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FQP6N70 | 6.2A, 700V, 1.5OHM, N-CHANNEL, | 29488 注文の詳細 |
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IPD079N06L3GBTMA1 | MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3 | 869 注文の詳細 |
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MCPF05N80-BP | MOSFET N-CH 800V 5A TO220F | 1247 注文の詳細 |
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TJ10S04M3L(T6L1,NQ | MOSFET P-CH 40V 10A DPAK | 908 注文の詳細 |
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IPD65R600C6BTMA1 | COOLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET | 3826 注文の詳細 |
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IRFB11N50APBF-BE3 | MOSFET N-CH 500V 11A TO220AB | 1996 注文の詳細 |
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IRF7490TRPBF | MOSFET N-CH 100V 5.4A 8SO | 1273 注文の詳細 |
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FDMS8050 | MOSFET N-CHANNEL 30V 55A 8PQFN | 269296904 注文の詳細 |
在庫あり | 12356 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.22000 | $0.22 |
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