参考まで
| 部品番号 | NDF08N60ZH |
| LIXINC Part # | NDF08N60ZH |
| メーカー | Rochester Electronics |
| カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 説明 | MOSFET N-CH 600V 8.4A TO220FP |
| ライフサイクル | アクティブ |
| RoHS | RoHS情報なし |
| EDA/CAD モデル | NDF08N60ZH PCBフットプリントとシンボル |
| 倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
| お届け予定日 | Oct 22 - Oct 26 2024(お急ぎ便をお選びください) |
| 保証 | 最長1年【限定保証】* |
| 支払い | 
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| 運送 |  |
| 部品番号: | NDF08N60ZH |
| ブランド: | Rochester Electronics |
| ライフサイクル: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
| サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| メーカー: | Rochester Electronics |
| シリーズ: | - |
| パッケージ: | Tube |
| 部品の状態: | Obsolete |
| フェチタイプ: | N-Channel |
| テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 600 V |
| 電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 8.4A (Tc) |
| ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 10V |
| (最大) @ id、vgs の rds: | 950mOhm @ 3.5A, 10V |
| vgs(th) (最大) @ ID: | 4.5V @ 100µA |
| ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 58 nC @ 10 V |
| vgs (最大): | ±30V |
| 入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 1.37 pF @ 25 V |
| フェチ機能: | - |
| 消費電力 (最大): | 36W (Tc) |
| 動作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ: | Through Hole |
| サプライヤー デバイス パッケージ: | TO-220FP |
| パッケージ・ケース: | TO-220-3 Full Pack |
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AUIRLR3410 | MOSFET N-CH 100V 17A DPAK | 3716 注文の詳細 |
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SIRA58DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8 | 7067 注文の詳細 |
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IXTQ160N10T | MOSFET N-CH 100V 160A TO3P | 2226 注文の詳細 |
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SPI20N60CFD | N-CHANNEL POWER MOSFET | 1392 注文の詳細 |
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SFT1446-TL-H | MOSFET N-CH 60V 20A TP-FA | 21119 注文の詳細 |
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DMN2026UVT-7 | MOSFET N-CH 20V 6.2A TSOT-26 | 841 注文の詳細 |
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STH270N8F7-2 | MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK | 1355 注文の詳細 |
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 |
BSN20BK215 | SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET | 823 注文の詳細 |
| 在庫あり | 11288 - 注文の詳細 |
|---|---|
| 見積もり制限 | 制限なし |
| リードタイム | 確認予定 |
| 最小 | 1 |
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| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $0.48000 | $0.48 |
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