参考まで
| 部品番号 | IRF253 |
| LIXINC Part # | IRF253 |
| メーカー | Rochester Electronics |
| カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 説明 | MOSFET N-CH 150V 25A TO204AE |
| ライフサイクル | アクティブ |
| RoHS | RoHS情報なし |
| EDA/CAD モデル | IRF253 PCBフットプリントとシンボル |
| 倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
| お届け予定日 | Jul 05 - Jul 09 2024(お急ぎ便をお選びください) |
| 保証 | 最長1年【限定保証】* |
| 支払い | 
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| 運送 |  |
| 部品番号: | IRF253 |
| ブランド: | Rochester Electronics |
| ライフサイクル: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
| サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| メーカー: | Rochester Electronics |
| シリーズ: | - |
| パッケージ: | Bulk |
| 部品の状態: | Active |
| フェチタイプ: | N-Channel |
| テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 150 V |
| 電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 25A |
| ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | - |
| (最大) @ id、vgs の rds: | - |
| vgs(th) (最大) @ ID: | - |
| ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | - |
| vgs (最大): | - |
| 入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | - |
| フェチ機能: | - |
| 消費電力 (最大): | 150W |
| 動作温度: | - |
| 取付タイプ: | Through Hole |
| サプライヤー デバイス パッケージ: | TO-204AE (TO-3) |
| パッケージ・ケース: | TO-204AE |
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SI2314EDS-T1-E3 | MOSFET N-CH 20V 3.77A SOT23-3 | 12929 注文の詳細 |
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FDBL86063-F085 | MOSFET N-CH 100V 240A 8HPSOF | 975 注文の詳細 |
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ZVN4206GTA | MOSFET N-CH 60V 1A SOT223 | 8350 注文の詳細 |
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BUK655R0-75C,127 | MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB | 892 注文の詳細 |
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NTE2394 | MOSFET N-CHANNEL 500V 14A TO3P | 1028 注文の詳細 |
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DMN6140LQ-7 | MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT23 | 918 注文の詳細 |
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STFI31N65M5 | MOSFET N CH 650V 22A I2PAKFP | 907 注文の詳細 |
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IXFH102N15T | MOSFET N-CH 150V 102A TO247AD | 2073 注文の詳細 |
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IMBF170R450M1XTMA1 | SICFET N-CH 1700V 9.8A TO263-7 | 1623 注文の詳細 |
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IXTP32P20T | MOSFET P-CH 200V 32A TO220AB | 1267 注文の詳細 |
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SCT3080AW7TL | TRANS SJT N-CH 650V 29A TO263-7 | 1908 注文の詳細 |
 |
SISS60DN-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 50.1/181.8A PPAK | 6706 注文の詳細 |
 |
SFU9130TU | P-CHANNEL POWER MOSFET | 5915 注文の詳細 |
| 在庫あり | 10892 - 注文の詳細 |
|---|---|
| 見積もり制限 | 制限なし |
| リードタイム | 確認予定 |
| 最小 | 1 |
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| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $2.01000 | $2.01 |
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