参考まで
部品番号 | IPB120N06S4H1ATMA2 |
LIXINC Part # | IPB120N06S4H1ATMA2 |
メーカー | IR (Infineon Technologies) |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3 |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | IPB120N06S4H1ATMA2 PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Jul 07 - Jul 11 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
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運送 | ![]() |
部品番号: | IPB120N06S4H1ATMA2 |
ブランド: | IR (Infineon Technologies) |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | IR (Infineon Technologies) |
シリーズ: | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
パッケージ: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
部品の状態: | Active |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 60 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 120A (Tc) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 10V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 2.4mOhm @ 100A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 4V @ 200µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 270 nC @ 10 V |
vgs (最大): | ±20V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 21900 pF @ 25 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 250W (Tc) |
動作温度: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
取付タイプ: | Surface Mount |
サプライヤー デバイス パッケージ: | PG-TO263-3-2 |
パッケージ・ケース: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
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IRFS52N15DTRLP | MOSFET N-CH 150V 51A D2PAK | 851 注文の詳細 |
在庫あり | 11875 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $3.78000 | $3.78 |
1000 | $1.65510 | $1655.1 |
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