参考まで
部品番号 | NTE2376 |
LIXINC Part # | NTE2376 |
メーカー | NTE Electronics, Inc. |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET N-CHANNEL 200V 30A TO247 |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | NTE2376 PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Oct 06 - Oct 10 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | NTE2376 |
ブランド: | NTE Electronics, Inc. |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | NTE Electronics, Inc. |
シリーズ: | - |
パッケージ: | Bag |
部品の状態: | Active |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 200 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 30A (Tc) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 10V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 85mOhm @ 18A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 4V @ 250µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 140 nC @ 10 V |
vgs (最大): | ±20V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 2800 pF @ 25 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 190W (Tc) |
動作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Through Hole |
サプライヤー デバイス パッケージ: | TO-247 |
パッケージ・ケース: | TO-247-3 |
SPW35N60C3FKSA1 | MOSFET N-CH 650V 34.6A TO247-3 | 847 注文の詳細 |
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IRLR014TRPBF | MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK | 1609 注文の詳細 |
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DMN60H080DS-7 | MOSFET N-CH 600V 80MA SOT23-3 | 343137 注文の詳細 |
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SIHP21N65EF-GE3 | MOSFET N-CH 650V 21A TO220AB | 967 注文の詳細 |
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NTF6P02T3G | MOSFET P-CH 20V 10A SOT223 | 866 注文の詳細 |
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IXTP02N50D | MOSFET N-CH 500V 200MA TO220AB | 5140 注文の詳細 |
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BSZ025N04LSATMA1 | MOSFET N-CH 40V 22A/40A TSDSON | 90425 注文の詳細 |
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BSC883N03LSG | N-CHANNEL POWER MOSFET | 15921 注文の詳細 |
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PH3120L,115-NXP | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1 | 956 注文の詳細 |
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PSMN012-80PS,127 | MOSFET N-CH 80V 74A TO220AB | 22282 注文の詳細 |
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NVMFS5844NLT3G | MOSFET N-CH 60V 11.2A 5DFN | 854 注文の詳細 |
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MMBF2201NT1G | MOSFET N-CH 20V 300MA SC70-3 | 2147484559 注文の詳細 |
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STP10NK70ZFP | MOSFET N-CH 700V 8.6A TO220FP | 820 注文の詳細 |
在庫あり | 10903 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $12.02000 | $12.02 |
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