参考まで
| 部品番号: | 70V3399S166BFG8 |
| ブランド: | Renesas Electronics America |
| ライフサイクル: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| カテゴリー: | 集積回路 |
| サブカテゴリ: | メモリー |
| メーカー: | Renesas Electronics America |
| シリーズ: | - |
| パッケージ: | Tape & Reel (TR) |
| 部品の状態: | Active |
| メモリータイプ: | Volatile |
| メモリフォーマット: | SRAM |
| テクノロジー: | SRAM - Dual Port, Synchronous |
| メモリー容量: | 2Mb (128K x 18) |
| メモリ インターフェイス: | Parallel |
| クロック周波数: | 166 MHz |
| 書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: | - |
| アクセス時間: | 3.6 ns |
| 電圧 - 供給: | 3.15V ~ 3.45V |
| 動作温度: | 0°C ~ 70°C (TA) |
| 取付タイプ: | Surface Mount |
| パッケージ・ケース: | 208-LFBGA |
| サプライヤー デバイス パッケージ: | 208-CABGA (15x15) |
|
MT29F256G08AUCABH3-10Z:A | IC FLASH 256GBIT PAR 100LBGA | 896 注文の詳細 |
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7052S30GB | IC SRAM 16KBIT PARALLEL 108PGA | 811 注文の詳細 |
|
71V016SA15BFG | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 48FBGA | 971 注文の詳細 |
|
5962-3829417MZA | IC SRAM 64KBIT PARALLEL 28CDIP | 990 注文の詳細 |
|
S72XS256RE0AHBH23 | IC FLASH RAM 256MBIT PAR 133FBGA | 908 注文の詳細 |
|
AS4C256M16MD4-062BAN | IC DRAM 2GBIT LVSTL 200FBGA | 1547 注文の詳細 |
|
TH58BVG2S3HBAI6 | IC FLASH 4G 67VFBGA | 974 注文の詳細 |
|
CG6227AA | SPECIAL | 935 注文の詳細 |
|
GVT71128E36T-10T | SRAM CHIP SYNC SINGLE 3.3V 4M BI | 4471 注文の詳細 |
|
HN58V256AFPI12E | 256K SERIAL EEPROM | 872 注文の詳細 |
|
MTFC4GLGDQ-AIT A | IC FLASH 32GBIT MMC 100LBGA | 987 注文の詳細 |
|
AS4C256M16D4-83BIN | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA | 1047 注文の詳細 |
|
TMS6287-45N | STANDARD SRAM, 128KX8, 85NS, PDI | 82032 注文の詳細 |
| 在庫あり | 10908 - 注文の詳細 |
|---|---|
| 見積もり制限 | 制限なし |
| リードタイム | 確認予定 |
| 最小 | 1 |
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| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $130.84450 | $130.8445 |
| 1000 | $96.77761 | $96777.61 |
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