参考まで
部品番号 | APT23F60B |
LIXINC Part # | APT23F60B |
メーカー | Roving Networks / Microchip Technology |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET N-CH 600V 24A TO247 |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | APT23F60B PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Oct 08 - Oct 12 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | APT23F60B |
ブランド: | Roving Networks / Microchip Technology |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Roving Networks / Microchip Technology |
シリーズ: | POWER MOS 8™ |
パッケージ: | Tube |
部品の状態: | Active |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 600 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 24A (Tc) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 10V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 290mOhm @ 11A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 5V @ 1mA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 110 nC @ 10 V |
vgs (最大): | ±30V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 4415 pF @ 25 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 415W (Tc) |
動作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Through Hole |
サプライヤー デバイス パッケージ: | TO-247 [B] |
パッケージ・ケース: | TO-247-3 |
IPA60R360P7SXKSA1 | MOSFET N-CH 600V 9A TO220 | 7067 注文の詳細 |
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SI2336DS-T1-BE3 | MOSFET N-CH 30V 4.3A/5.2A SOT23 | 3913 注文の詳細 |
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STF18N60M6 | MOSFET N-CH 600V 13A TO220FP | 960 注文の詳細 |
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SIHU5N50D-E3 | MOSFET N-CH 500V 5.3A TO251AA | 876 注文の詳細 |
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DMPH3010LPSQ-13 | MOSFET P-CH 30V 60A PWRDI5060-8 | 829 注文の詳細 |
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FDH45N50F-F133 | MOSFET N-CH 500V 45A TO247-3 | 1457 注文の詳細 |
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STU7N65M2 | MOSFET N-CH 650V 5A IPAK | 815 注文の詳細 |
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TK42E12N1,S1X | MOSFET N CH 120V 88A TO-220 | 925 注文の詳細 |
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STL6N3LLH6 | MOSFET N-CH 30V POWERFLAT | 944 注文の詳細 |
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IXFB210N20P | MOSFET N-CH 200V 210A PLUS264 | 2634 注文の詳細 |
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RM2333 | MOSFET P-CHANNEL 12V 6A SOT23 | 988 注文の詳細 |
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SPB02N60C3 | N-CHANNEL POWER MOSFET | 12464 注文の詳細 |
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NTD95N02RT4G | MOSFET N-CH 24V 12A/32A DPAK | 3497 注文の詳細 |
在庫あり | 10848 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $4.68000 | $4.68 |
120 | $4.68000 | $561.6 |
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