参考まで
部品番号 | IXTQ110N10P |
LIXINC Part # | IXTQ110N10P |
メーカー | Wickmann / Littelfuse |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET N-CH 100V 110A TO3P |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | IXTQ110N10P PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Sep 26 - Sep 30 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | IXTQ110N10P |
ブランド: | Wickmann / Littelfuse |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Wickmann / Littelfuse |
シリーズ: | PolarHT™ |
パッケージ: | Tube |
部品の状態: | Active |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 100 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 110A (Tc) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 10V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 15mOhm @ 500mA, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 5V @ 250µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 110 nC @ 10 V |
vgs (最大): | ±20V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 3550 pF @ 25 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 480W (Tc) |
動作温度: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
取付タイプ: | Through Hole |
サプライヤー デバイス パッケージ: | TO-3P |
パッケージ・ケース: | TO-3P-3, SC-65-3 |
NTB150N65S3HF | MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK-3 | 885 注文の詳細 |
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STL9N60M2 | MOSFET N-CH 600V 4.8A PWRFLAT56 | 2800 注文の詳細 |
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CSD17506Q5A | MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON | 8274 注文の詳細 |
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RUR040N02TL | MOSFET N-CH 20V 4A TSMT3 | 8460 注文の詳細 |
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RSD200N05TL | MOSFET N-CH 45V 20A CPT3 | 3457 注文の詳細 |
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FDB14AN06LA0-F085 | MOSFET N-CH 60V 67A TO263AB | 1906 注文の詳細 |
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AUIRFZ24NS | MOSFET N-CH 55V 17A DPAK | 2643 注文の詳細 |
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STI33N60M6 | MOSFET N-CH 600V 25A I2PAK | 995 注文の詳細 |
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SCT3080ARC14 | SICFET N-CH 650V 30A TO247-4L | 1192 注文の詳細 |
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TSM8N80CI C0G | MOSFET N-CH 800V 8A ITO220AB | 819 注文の詳細 |
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FDT3N40TF | MOSFET N-CH 400V 2A SOT223-4 | 10638 注文の詳細 |
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2SK2008-E | N-CHANNEL POWER MOSFET | 877 注文の詳細 |
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FCH077N65F-F085 | MOSFET N-CH 650V 54A TO247-3 | 1229 注文の詳細 |
在庫あり | 11950 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $5.33600 | $5.336 |
30 | $5.33600 | $160.08 |
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