参考まで
部品番号 | FDS7066ASN3 |
LIXINC Part # | FDS7066ASN3 |
メーカー | Rochester Electronics |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET N-CH 30V 19A 8SO |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | FDS7066ASN3 PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Sep 21 - Sep 25 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
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部品番号: | FDS7066ASN3 |
ブランド: | Rochester Electronics |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Rochester Electronics |
シリーズ: | PowerTrench® |
パッケージ: | Bulk |
部品の状態: | Obsolete |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 30 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 19A (Ta) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 4.5V, 10V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 4.8mOhm @ 19A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 3V @ 1mA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 62 nC @ 10 V |
vgs (最大): | ±20V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 2.46 pF @ 15 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 3W (Ta) |
動作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Surface Mount |
サプライヤー デバイス パッケージ: | 8-SO |
パッケージ・ケース: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
MVSF2N02ELT1G | MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT23-3 | 71793923 注文の詳細 |
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FDD5614P | MOSFET P-CH 60V 15A TO252 | 871 注文の詳細 |
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EPC2021 | GANFET N-CH 80V 90A DIE | 12915 注文の詳細 |
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ZXMN3B04N8TA | MOSFET N-CH 30V 7.2A 8SO | 962 注文の詳細 |
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FQD5N20LTM | MOSFET N-CH 200V 3.8A DPAK | 2738 注文の詳細 |
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IXFH13N80 | MOSFET N-CH 800V 13A TO247AD | 1535 注文の詳細 |
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IPA60R520E6XKSA1 | MOSFET N-CH 600V 8.1A TO220-FP | 858 注文の詳細 |
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DKI06186 | MOSFET N-CH 60V 31A TO252 | 899 注文の詳細 |
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IRFR4105TRLPBF | MOSFET N-CH 55V 27A DPAK | 857 注文の詳細 |
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IPT004N03LATMA1 | MOSFET N-CH 30V 300A 8HSOF | 805 注文の詳細 |
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IPW60R199CP | 16A, 600V, 0.199OHM, N-CHANNEL M | 907 注文の詳細 |
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SIRA01DP-T1-GE3 | MOSFET P-CH 30V 26A/60A PPAK SO8 | 2055 注文の詳細 |
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IPD90N04S40-4ATMA1 | N-CHANNEL POWER MOSFET | 860 注文の詳細 |
在庫あり | 622321 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $1.19000 | $1.19 |
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