参考まで
部品番号 | IRF7450PBF |
LIXINC Part # | IRF7450PBF |
メーカー | Rochester Electronics |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | SMPS HEXFET POWER MOSFET |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | IRF7450PBF PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Oct 06 - Oct 10 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | IRF7450PBF |
ブランド: | Rochester Electronics |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Rochester Electronics |
シリーズ: | HEXFET® |
パッケージ: | Bulk |
部品の状態: | Active |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 200 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 2.5A (Ta) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 10V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 170mOhm @ 1.5A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 5.5V @ 250µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 39 nC @ 10 V |
vgs (最大): | ±30V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 940 pF @ 25 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 2.5W (Ta) |
動作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Surface Mount |
サプライヤー デバイス パッケージ: | 8-SO |
パッケージ・ケース: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
BSZ22DN20NS3G | BSZ22DN20 - 12V-300V N-CHANNEL P | 1909 注文の詳細 |
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BSZ110N08NS5ATMA1 | MOSFET N-CH 80V 40A TSDSON | 60941 注文の詳細 |
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APT10021JLL | MOSFET N-CH 1000V 37A ISOTOP | 1000 注文の詳細 |
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BUK6Y24-40PX | MOSFET P-CH 40V 39A LFPAK56 | 1971 注文の詳細 |
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2SJ661-1E | MOSFET P-CH 60V 38A TO262-3 | 15588 注文の詳細 |
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PSMN7R6-100BSEJ | MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK | 4554 注文の詳細 |
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TK62N60X,S1F | MOSFET N-CH 600V 61.8A TO247 | 1314 注文の詳細 |
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FDB7030L | MOSFET N-CH 30V 80A TO263AB | 65723 注文の詳細 |
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IPB45P03P4L11ATMA1 | MOSFET P-CH 30V 45A TO263-3-2 | 958 注文の詳細 |
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R6030MNX | MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM | 1251 注文の詳細 |
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FQB9N25TM | MOSFET N-CH 250V 9.4A D2PAK | 836 注文の詳細 |
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IRLR7843TRPBF | IRLR7843 - 12V-300V N-CHANNEL PO | 3708 注文の詳細 |
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SIHA6N65E-E3 | MOSFET N-CHANNEL 650V 7A TO220 | 1177 注文の詳細 |
在庫あり | 10942 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.48000 | $0.48 |
3800 | $0.48000 | $1824 |
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