参考まで
| 部品番号 | IPI030N10N3GXKSA1 |
| LIXINC Part # | IPI030N10N3GXKSA1 |
| メーカー | Rochester Electronics |
| カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 説明 | MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3 |
| ライフサイクル | アクティブ |
| RoHS | RoHS情報なし |
| EDA/CAD モデル | IPI030N10N3GXKSA1 PCBフットプリントとシンボル |
| 倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
| お届け予定日 | Sep 26 - Sep 30 2024(お急ぎ便をお選びください) |
| 保証 | 最長1年【限定保証】* |
| 支払い | 
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| 運送 |  |
| 部品番号: | IPI030N10N3GXKSA1 |
| ブランド: | Rochester Electronics |
| ライフサイクル: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
| サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| メーカー: | Rochester Electronics |
| シリーズ: | OptiMOS™ |
| パッケージ: | Bulk |
| 部品の状態: | Active |
| フェチタイプ: | N-Channel |
| テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 100 V |
| 電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 100A (Tc) |
| ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 6V, 10V |
| (最大) @ id、vgs の rds: | 3mOhm @ 100A, 10V |
| vgs(th) (最大) @ ID: | 3.5V @ 275µA |
| ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 206 nC @ 10 V |
| vgs (最大): | ±20V |
| 入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 14.8 pF @ 50 V |
| フェチ機能: | - |
| 消費電力 (最大): | 300W (Tc) |
| 動作温度: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 取付タイプ: | Through Hole |
| サプライヤー デバイス パッケージ: | PG-TO262-3 |
| パッケージ・ケース: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
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SIHP105N60EF-GE3 | MOSFET N-CH 600V 29A TO220AB | 2019 注文の詳細 |
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BTS282ZE3230AKSA2 | BTS282 - TEMPFET, AUTOMOTIVE LOW | 1347 注文の詳細 |
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NP90N055VUK-E1-AY | MOSFET N-CH 55V 90A TO252-3 | 861 注文の詳細 |
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XP161A11A1PR-G | MOSFET N-CH 30V 4A SOT89 | 917 注文の詳細 |
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FQP9N08L | MOSFET N-CH 80V 9.3A TO220-3 | 5996 注文の詳細 |
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SIR870ADP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8 | 890 注文の詳細 |
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FQB65N06TM | MOSFET N-CH 60V 65A D2PAK | 6987 注文の詳細 |
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IRFP27N60KPBF | MOSFET N-CH 600V 27A TO247-3 | 10282 注文の詳細 |
| 在庫あり | 11090 - 注文の詳細 |
|---|---|
| 見積もり制限 | 制限なし |
| リードタイム | 確認予定 |
| 最小 | 1 |
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| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $2.35000 | $2.35 |
| 500 | $2.35000 | $1175 |
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