参考まで
部品番号 | IPD25CN10NGATMA1 |
LIXINC Part # | IPD25CN10NGATMA1 |
メーカー | IR (Infineon Technologies) |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET N-CH 100V 35A TO252-3 |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | IPD25CN10NGATMA1 PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Jul 05 - Jul 09 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
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運送 | ![]() |
部品番号: | IPD25CN10NGATMA1 |
ブランド: | IR (Infineon Technologies) |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | IR (Infineon Technologies) |
シリーズ: | OptiMOS™ |
パッケージ: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
部品の状態: | Active |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 100 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 35A (Tc) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 10V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 25mOhm @ 35A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 4V @ 39µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 31 nC @ 10 V |
vgs (最大): | ±20V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 2070 pF @ 50 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 71W (Tc) |
動作温度: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
取付タイプ: | Surface Mount |
サプライヤー デバイス パッケージ: | PG-TO252-3 |
パッケージ・ケース: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
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SI2314EDS-T1-E3 | MOSFET N-CH 20V 3.77A SOT23-3 | 12903 注文の詳細 |
在庫あり | 11999 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $1.28000 | $1.28 |
2500 | $0.56380 | $1409.5 |
5000 | $0.53560 | $2678 |
12500 | $0.51547 | $6443.375 |
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