参考まで
部品番号 | FQB55N06TM |
LIXINC Part # | FQB55N06TM |
メーカー | Rochester Electronics |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET N-CH 60V 55A D2PAK |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | FQB55N06TM PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Oct 03 - Oct 07 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | FQB55N06TM |
ブランド: | Rochester Electronics |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Rochester Electronics |
シリーズ: | QFET® |
パッケージ: | Bulk |
部品の状態: | Obsolete |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 60 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 55A (Tc) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 10V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 20mOhm @ 27.5A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 4V @ 250µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 46 nC @ 10 V |
vgs (最大): | ±25V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 1.69 pF @ 25 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 3.75W (Ta), 133W (Tc) |
動作温度: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
取付タイプ: | Surface Mount |
サプライヤー デバイス パッケージ: | D²PAK (TO-263AB) |
パッケージ・ケース: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
FDS86242 | MOSFET N-CH 150V 4.1A 8SOIC | 6122 注文の詳細 |
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IRF253 | MOSFET N-CH 150V 25A TO204AE | 998 注文の詳細 |
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SI2314EDS-T1-E3 | MOSFET N-CH 20V 3.77A SOT23-3 | 13066 注文の詳細 |
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FDBL86063-F085 | MOSFET N-CH 100V 240A 8HPSOF | 916 注文の詳細 |
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ZVN4206GTA | MOSFET N-CH 60V 1A SOT223 | 8416 注文の詳細 |
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BUK655R0-75C,127 | MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB | 801 注文の詳細 |
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NTE2394 | MOSFET N-CHANNEL 500V 14A TO3P | 963 注文の詳細 |
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DMN6140LQ-7 | MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT23 | 881 注文の詳細 |
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STFI31N65M5 | MOSFET N CH 650V 22A I2PAKFP | 955 注文の詳細 |
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IXFH102N15T | MOSFET N-CH 150V 102A TO247AD | 2002 注文の詳細 |
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IMBF170R450M1XTMA1 | SICFET N-CH 1700V 9.8A TO263-7 | 1654 注文の詳細 |
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IXTP32P20T | MOSFET P-CH 200V 32A TO220AB | 1211 注文の詳細 |
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SCT3080AW7TL | TRANS SJT N-CH 650V 29A TO263-7 | 1914 注文の詳細 |
在庫あり | 12087 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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