参考まで
| 部品番号 | IRF9Z20PBF |
| LIXINC Part # | IRF9Z20PBF |
| メーカー | Vishay / Siliconix |
| カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 説明 | MOSFET P-CH 50V 9.7A TO220AB |
| ライフサイクル | アクティブ |
| RoHS | RoHS情報なし |
| EDA/CAD モデル | IRF9Z20PBF PCBフットプリントとシンボル |
| 倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
| お届け予定日 | Oct 06 - Oct 10 2024(お急ぎ便をお選びください) |
| 保証 | 最長1年【限定保証】* |
| 支払い | 
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| 運送 |  |
| 部品番号: | IRF9Z20PBF |
| ブランド: | Vishay / Siliconix |
| ライフサイクル: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
| サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| メーカー: | Vishay / Siliconix |
| シリーズ: | - |
| パッケージ: | Tube |
| 部品の状態: | Active |
| フェチタイプ: | P-Channel |
| テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 50 V |
| 電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 9.7A (Tc) |
| ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 10V |
| (最大) @ id、vgs の rds: | 280mOhm @ 5.6A, 10V |
| vgs(th) (最大) @ ID: | 4V @ 250µA |
| ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 26 nC @ 10 V |
| vgs (最大): | ±20V |
| 入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 480 pF @ 25 V |
| フェチ機能: | - |
| 消費電力 (最大): | 40W (Tc) |
| 動作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ: | Through Hole |
| サプライヤー デバイス パッケージ: | TO-220AB |
| パッケージ・ケース: | TO-220-3 |
 |
FDD8586 | MOSFET N-CH 20V 35A TO252AA | 84547 注文の詳細 |
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NTP85N03 | MOSFET N-CH 28V 85A TO220AB | 122612 注文の詳細 |
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SISS65DN-T1-GE3 | MOSFET P-CH 30V 25.9A/94A PPAK | 7226 注文の詳細 |
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SI7326DN-T1-E3 | MOSFET N-CH 30V 6.5A PPAK 1212-8 | 3105 注文の詳細 |
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DMN60H080DS-7 | MOSFET N-CH 600V 80MA SOT23-3 | 343069 注文の詳細 |
| 在庫あり | 11002 - 注文の詳細 |
|---|---|
| 見積もり制限 | 制限なし |
| リードタイム | 確認予定 |
| 最小 | 1 |
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| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $2.00000 | $2 |
| 50 | $1.61596 | $80.798 |
| 100 | $1.45432 | $145.432 |
| 500 | $1.13112 | $565.56 |
| 1000 | $0.93721 | $937.21 |
| 2500 | $0.87258 | $2181.45 |
| 5000 | $0.84026 | $4201.3 |
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