FDMD8900

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部品番号 FDMD8900
LIXINC Part # FDMD8900
メーカー Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
カテゴリー ディスクリート半導体トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
説明 MOSFET 2N-CH 30V 19A/17A 12POWER
ライフサイクル アクティブ
RoHS RoHS情報なし
EDA/CAD モデル FDMD8900 PCBフットプリントとシンボル
倉庫 アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区
お届け予定日 Sep 22 - Sep 26 2024(お急ぎ便をお選びください)
保証 最長1年【限定保証】*
支払い Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
運送 DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

FDMD8900 仕様

部品番号:FDMD8900
ブランド:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
ライフサイクル:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
カテゴリー:ディスクリート半導体
サブカテゴリ:トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
メーカー:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
シリーズ:-
パッケージ:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
部品の状態:Active
フェチタイプ:2 N-Channel (Dual)
フェチ機能:Standard
ドレイン-ソース間電圧 (vdss):30V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c:19A, 17A
(最大) @ id、vgs の rds:4mOhm @ 19A, 10V
vgs(th) (最大) @ ID:2.5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs:35nC @ 10V
入力容量 (ciss) (最大) @ vds:2605pF @ 15V
パワー - 最大:2.1W
動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ:Surface Mount
パッケージ・ケース:12-PowerWDFN
サプライヤー デバイス パッケージ:12-Power3.3x5

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