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部品番号 | TPC8223-H,LQ(S |
LIXINC Part # | TPC8223-H,LQ(S |
メーカー | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ |
説明 | MOSFET 2N-CH 30V 9A 8SOP |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | TPC8223-H,LQ(S PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Sep 22 - Sep 26 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
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部品番号: | TPC8223-H,LQ(S |
ブランド: | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ |
メーカー: | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
シリーズ: | - |
パッケージ: | Tape & Reel (TR) |
部品の状態: | Last Time Buy |
フェチタイプ: | 2 N-Channel (Dual) |
フェチ機能: | Logic Level Gate |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 30V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 9A |
(最大) @ id、vgs の rds: | 17mOhm @ 4.5A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 2.3V @ 100µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 17nC @ 10V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 1190pF @ 10V |
パワー - 最大: | 450mW |
動作温度: | 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Surface Mount |
パッケージ・ケース: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
サプライヤー デバイス パッケージ: | 8-SOP |
NX3008CBKS,115 | MOSFET N/P-CH 30V 6TSSOP | 7745 注文の詳細 |
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BSS84DW-7-F | MOSFET 2P-CH 50V 0.13A SC70-6 | 86132 注文の詳細 |
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IPG20N06S415ATMA1 | IPG20N06S4-15- 55V-60V N-CHANNEL | 877 注文の詳細 |
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NTE2960 | MOSFET-N-CHAN ENHANCEMENT | 1093 注文の詳細 |
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SIZ300DT-T1-GE3 | MOSFET 2N-CH 30V 11A POWERPAIR | 1066 注文の詳細 |
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BSM180D12P3C007 | SIC POWER MODULE | 862 注文の詳細 |
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FDMC3300NZA | N-CHANNEL POWER MOSFET | 10125 注文の詳細 |
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PMDPB55XP,115 | MOSFET 2P-CH 20V 3.4A 6HUSON | 862 注文の詳細 |
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FW274-TL-E | N-CHANNEL MOSFET | 15992 注文の詳細 |
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ZXMC3AM832TA | MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8MLP | 1541 注文の詳細 |
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PMV50ENEA,215 | 3.9A, 30V, N CHANNEL, SILICON, M | 9933 注文の詳細 |
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CSD75301W1015 | SMALL SIGNAL P-CHANNEL MOSFET | 2218 注文の詳細 |
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PMV280ENEA,215 | 1.1A, 100V, N CHANNEL, SILICON, | 3906 注文の詳細 |
在庫あり | 10945 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.48510 | $0.4851 |
2500 | $0.47492 | $1187.3 |
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