参考まで
| 部品番号 | IPD60R750E6 |
| LIXINC Part # | IPD60R750E6 |
| メーカー | Rochester Electronics |
| カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 説明 | N-CHANNEL POWER MOSFET |
| ライフサイクル | アクティブ |
| RoHS | RoHS情報なし |
| EDA/CAD モデル | IPD60R750E6 PCBフットプリントとシンボル |
| 倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
| お届け予定日 | Jul 06 - Jul 10 2024(お急ぎ便をお選びください) |
| 保証 | 最長1年【限定保証】* |
| 支払い | 
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| 運送 |  |
| 部品番号: | IPD60R750E6 |
| ブランド: | Rochester Electronics |
| ライフサイクル: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
| サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| メーカー: | Rochester Electronics |
| シリーズ: | * |
| パッケージ: | Bulk |
| 部品の状態: | Active |
| フェチタイプ: | - |
| テクノロジー: | - |
| ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | - |
| 電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | - |
| ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | - |
| (最大) @ id、vgs の rds: | - |
| vgs(th) (最大) @ ID: | - |
| ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | - |
| vgs (最大): | - |
| 入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | - |
| フェチ機能: | - |
| 消費電力 (最大): | - |
| 動作温度: | - |
| 取付タイプ: | - |
| サプライヤー デバイス パッケージ: | - |
| パッケージ・ケース: | - |
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IXTK180N15P | MOSFET N-CH 150V 180A TO264 | 503979 注文の詳細 |
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IPU039N03LGXK | MOSFET N-CH 30V 50A TO251-3 | 1219 注文の詳細 |
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FDMS2504SDC | MOSFET N-CH 25V 42A/49A DLCOOL56 | 8047 注文の詳細 |
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DMT5015LFDF-7 | MOSFET N-CH 50V 9.1A 6UDFN | 2147484598 注文の詳細 |
 |
BUK7610-55AL,118 | MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK | 1205 注文の詳細 |
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PSMN2R0-30YL,115 | MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56 | 5175 注文の詳細 |
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SIHFL9014TR-GE3 | MOSFET P-CH 60V 1.8A SOT223 | 837 注文の詳細 |
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IRLR3636TRLPBF | MOSFET N-CH 60V 50A DPAK | 3721 注文の詳細 |
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MCH6431-TL-H | MOSFET N-CH 30V 5A 6MCPH | 38991 注文の詳細 |
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RMP3N90LD | MOSFET N-CHANNEL 900V 3A TO252-2 | 826 注文の詳細 |
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SCTH35N65G2V-7AG | SICFET N-CH 650V 45A H2PAK-7 | 1915 注文の詳細 |
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IPT60R080G7XTMA1 | MOSFET N-CH 650V 29A 8HSOF | 3041 注文の詳細 |
 |
FQPF13N06L | MOSFET N-CH 60V 10A TO220F | 16057887 注文の詳細 |
| 在庫あり | 10869 - 注文の詳細 |
|---|---|
| 見積もり制限 | 制限なし |
| リードタイム | 確認予定 |
| 最小 | 1 |
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| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $0.45000 | $0.45 |
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