参考まで
| 部品番号 | SPD03N60C3ATMA1 |
| LIXINC Part # | SPD03N60C3ATMA1 |
| メーカー | IR (Infineon Technologies) |
| カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 説明 | MOSFET N-CH 600V 3.2A TO252-3 |
| ライフサイクル | アクティブ |
| RoHS | RoHS情報なし |
| EDA/CAD モデル | SPD03N60C3ATMA1 PCBフットプリントとシンボル |
| 倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
| お届け予定日 | Sep 26 - Sep 30 2024(お急ぎ便をお選びください) |
| 保証 | 最長1年【限定保証】* |
| 支払い | 
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| 運送 |  |
| 部品番号: | SPD03N60C3ATMA1 |
| ブランド: | IR (Infineon Technologies) |
| ライフサイクル: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
| サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| メーカー: | IR (Infineon Technologies) |
| シリーズ: | - |
| パッケージ: | Tape & Reel (TR) |
| 部品の状態: | Active |
| フェチタイプ: | N-Channel |
| テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 600 V |
| 電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 3.2A (Tc) |
| ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 10V |
| (最大) @ id、vgs の rds: | 1.4Ohm @ 2A, 10V |
| vgs(th) (最大) @ ID: | 3.9V @ 135µA |
| ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 17 nC @ 10 V |
| vgs (最大): | ±20V |
| 入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 400 pF @ 25 V |
| フェチ機能: | - |
| 消費電力 (最大): | 38W (Tc) |
| 動作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ: | Surface Mount |
| サプライヤー デバイス パッケージ: | PG-TO252-3-1 |
| パッケージ・ケース: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
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IPP50R399CPXKSA1 | COOLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET | 993 注文の詳細 |
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FJ3P02100L | MOSFET P-CH 20V 4.4A 3PMCP | 7379 注文の詳細 |
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APT30M85BVRG | MOSFET N-CH 300V 40A TO247 | 817 注文の詳細 |
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NTMFS5H615NLT1G | MOSFET N-CH 60V 28A/185A 5DFN | 992 注文の詳細 |
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MTB10N40E | N-CHANNEL POWER MOSFET | 79527 注文の詳細 |
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RQ3E180BNTB | MOSFET N-CHANNEL 30V 39A 8HSMT | 1141 注文の詳細 |
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STD65N55F3 | MOSFET N-CH 55V 80A DPAK | 922 注文の詳細 |
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IPW60R330P6FKSA1 | MOSFET N-CH 600V 12A TO247-3 | 29683 注文の詳細 |
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NDPL180N10BG | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR | 1453 注文の詳細 |
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PHK5NQ15T,518 | MOSFET N-CH 150V 5A 8SO | 839 注文の詳細 |
| 在庫あり | 10860 - 注文の詳細 |
|---|---|
| 見積もり制限 | 制限なし |
| リードタイム | 確認予定 |
| 最小 | 1 |
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| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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| 2500 | $0.67602 | $1690.05 |
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