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部品番号 | BUK763R8-80E,118 |
LIXINC Part # | BUK763R8-80E,118 |
メーカー | Nexperia |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | BUK763R8-80E,118 PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Jul 07 - Jul 11 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
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運送 | ![]() |
部品番号: | BUK763R8-80E,118 |
ブランド: | Nexperia |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Nexperia |
シリーズ: | Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ |
パッケージ: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
部品の状態: | Active |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 80 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 120A (Tc) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 10V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 3.8mOhm @ 25A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 4V @ 1mA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 169 nC @ 10 V |
vgs (最大): | ±20V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 12030 pF @ 25 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 357W (Tc) |
動作温度: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
取付タイプ: | Surface Mount |
サプライヤー デバイス パッケージ: | D2PAK |
パッケージ・ケース: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
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NTTS2P03R2 | MOSFET P-CH 30V 2.1A MICRO8 | 170286 注文の詳細 |
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IPB65R660CFDATMA1 | MOSFET N-CH 650V 6A D2PAK | 914 注文の詳細 |
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DMNH45M7SCT | MOSFET N-CH 40V 220A TO220AB | 4511 注文の詳細 |
在庫あり | 11829 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $2.21000 | $2.21 |
800 | $1.53813 | $1230.504 |
1600 | $1.41158 | $2258.528 |
2400 | $1.31423 | $3154.152 |
5600 | $1.26555 | $7087.08 |
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