参考まで
部品番号: | 5962-3829414MZA |
ブランド: | Renesas Electronics America |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | 集積回路 |
サブカテゴリ: | メモリー |
メーカー: | Renesas Electronics America |
シリーズ: | - |
パッケージ: | Tube |
部品の状態: | Active |
メモリータイプ: | Volatile |
メモリフォーマット: | SRAM |
テクノロジー: | SRAM - Synchronous |
メモリー容量: | 64Kb (8K x 8) |
メモリ インターフェイス: | Parallel |
クロック周波数: | - |
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: | 25ns |
アクセス時間: | 25 ns |
電圧 - 供給: | 4.5V ~ 5.5V |
動作温度: | -55°C ~ 125°C (TA) |
取付タイプ: | Through Hole |
パッケージ・ケース: | 28-CDIP (0.300", 7.62mm) |
サプライヤー デバイス パッケージ: | 28-CDIP |
70V3399S166BFG8 | IC SRAM 2MBIT PARALLEL 208CABGA | 898 注文の詳細 |
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MT29F256G08AUCABH3-10Z:A | IC FLASH 256GBIT PAR 100LBGA | 918 注文の詳細 |
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7052S30GB | IC SRAM 16KBIT PARALLEL 108PGA | 857 注文の詳細 |
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71V016SA15BFG | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 48FBGA | 937 注文の詳細 |
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5962-3829417MZA | IC SRAM 64KBIT PARALLEL 28CDIP | 865 注文の詳細 |
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S72XS256RE0AHBH23 | IC FLASH RAM 256MBIT PAR 133FBGA | 950 注文の詳細 |
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AS4C256M16MD4-062BAN | IC DRAM 2GBIT LVSTL 200FBGA | 1657 注文の詳細 |
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TH58BVG2S3HBAI6 | IC FLASH 4G 67VFBGA | 814 注文の詳細 |
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CG6227AA | SPECIAL | 896 注文の詳細 |
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GVT71128E36T-10T | SRAM CHIP SYNC SINGLE 3.3V 4M BI | 4432 注文の詳細 |
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HN58V256AFPI12E | 256K SERIAL EEPROM | 898 注文の詳細 |
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MTFC4GLGDQ-AIT A | IC FLASH 32GBIT MMC 100LBGA | 814 注文の詳細 |
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AS4C256M16D4-83BIN | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA | 1144 注文の詳細 |
在庫あり | 10849 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $22.47822 | $22.47822 |
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