参考まで
部品番号 | IPD50R950CEAUMA1 |
LIXINC Part # | IPD50R950CEAUMA1 |
メーカー | IR (Infineon Technologies) |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | CONSUMER |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | IPD50R950CEAUMA1 PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Sep 21 - Sep 25 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | IPD50R950CEAUMA1 |
ブランド: | IR (Infineon Technologies) |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | IR (Infineon Technologies) |
シリーズ: | * |
パッケージ: | Tape & Reel (TR) |
部品の状態: | Active |
フェチタイプ: | - |
テクノロジー: | - |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | - |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | - |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | - |
(最大) @ id、vgs の rds: | - |
vgs(th) (最大) @ ID: | - |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | - |
vgs (最大): | - |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | - |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | - |
動作温度: | - |
取付タイプ: | - |
サプライヤー デバイス パッケージ: | - |
パッケージ・ケース: | - |
CEDM7004 TR PBFREE | MOSFET N-CH 30V 1.78A SOT883 | 3736822 注文の詳細 |
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FDMC4435BZ-F126 | MOSFET P-CH 30V 8.5A/18A 8MLP | 70993846 注文の詳細 |
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IPW50R199CPFKSA1 | MOSFET N-CH 550V 17A TO247-3 | 804 注文の詳細 |
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SCTW100N65G2AG | SICFET N-CH 650V 100A HIP247 | 2366 注文の詳細 |
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BSS119NH6327XTSA1 | MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3 | 30407 注文の詳細 |
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BUK7523-75A,127 | MOSFET N-CH 75V 53A TO220AB | 862 注文の詳細 |
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AUIRF7207Q | MOSFET P-CH 20V 5.4A 8SO | 963 注文の詳細 |
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APT29F80J | MOSFET N-CH 800V 31A ISOTOP | 922 注文の詳細 |
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FDS3580 | MOSFET N-CH 80V 7.6A 8SOIC | 4018 注文の詳細 |
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NTD3055-094-1G | MOSFET N-CH 60V 12A IPAK | 102385 注文の詳細 |
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DMN30H4D0L-7 | MOSFET N-CH 300V 250MA SOT23 | 902 注文の詳細 |
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SQM100N10-10_GE3 | MOSFET N-CH 100V 100A TO263 | 1333 注文の詳細 |
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AUIRFR4615TRL | MOSFET N-CH 150V 33A DPAK | 968 注文の詳細 |
在庫あり | 10884 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.22192 | $0.22192 |
2500 | $0.22192 | $554.8 |
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