参考まで
部品番号 | QS5U36TR |
LIXINC Part # | QS5U36TR |
メーカー | ROHM Semiconductor |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET N-CH 20V 2.5A TSMT5 |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | QS5U36TR PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Oct 22 - Oct 26 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | QS5U36TR |
ブランド: | ROHM Semiconductor |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | ROHM Semiconductor |
シリーズ: | - |
パッケージ: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
部品の状態: | Active |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 20 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 2.5A (Ta) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 1.5V, 4.5V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 81mOhm @ 2.5A, 4.5V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 1.3V @ 1mA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 3.5 nC @ 4.5 V |
vgs (最大): | ±10V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 280 pF @ 10 V |
フェチ機能: | Schottky Diode (Isolated) |
消費電力 (最大): | 1.25W (Ta) |
動作温度: | 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Surface Mount |
サプライヤー デバイス パッケージ: | TSMT5 |
パッケージ・ケース: | SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5 |
NDF08N60ZH | MOSFET N-CH 600V 8.4A TO220FP | 11200 注文の詳細 |
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AUIRLR3410 | MOSFET N-CH 100V 17A DPAK | 3768 注文の詳細 |
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SIRA58DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8 | 6936 注文の詳細 |
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IXTQ160N10T | MOSFET N-CH 100V 160A TO3P | 2319 注文の詳細 |
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SPI20N60CFD | N-CHANNEL POWER MOSFET | 1304 注文の詳細 |
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STK820 | MOSFET N-CH 25V 21A POLARPAK | 956 注文の詳細 |
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SFT1446-TL-H | MOSFET N-CH 60V 20A TP-FA | 21220 注文の詳細 |
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DMN2026UVT-7 | MOSFET N-CH 20V 6.2A TSOT-26 | 811 注文の詳細 |
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SQ4431EY-T1_BE3 | MOSFET P-CH 30V 10.8A 8SOIC | 3396 注文の詳細 |
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STH270N8F7-2 | MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK | 1489 注文の詳細 |
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APT20M120JCU2 | MOSFET N-CH 1200V 20A SOT227 | 918 注文の詳細 |
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FDP083N15A-F102 | MOSFET N-CH 150V 83A TO220-3 | 1840 注文の詳細 |
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SIR870BDP-T1-RE3 | MOSFET N-CH 100V 18.8A/81A PPAK | 6850 注文の詳細 |
在庫あり | 13894 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.56000 | $0.56 |
3000 | $0.18807 | $564.21 |
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