参考まで
| 部品番号 | FDS7766S |
| LIXINC Part # | FDS7766S |
| メーカー | Rochester Electronics |
| カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 説明 | SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET |
| ライフサイクル | アクティブ |
| RoHS | RoHS情報なし |
| EDA/CAD モデル | FDS7766S PCBフットプリントとシンボル |
| 倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
| お届け予定日 | Jul 05 - Jul 09 2024(お急ぎ便をお選びください) |
| 保証 | 最長1年【限定保証】* |
| 支払い | 
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| 運送 |  |
| 部品番号: | FDS7766S |
| ブランド: | Rochester Electronics |
| ライフサイクル: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
| サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| メーカー: | Rochester Electronics |
| シリーズ: | * |
| パッケージ: | Bulk |
| 部品の状態: | Active |
| フェチタイプ: | - |
| テクノロジー: | - |
| ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | - |
| 電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | - |
| ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | - |
| (最大) @ id、vgs の rds: | - |
| vgs(th) (最大) @ ID: | - |
| ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | - |
| vgs (最大): | - |
| 入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | - |
| フェチ機能: | - |
| 消費電力 (最大): | - |
| 動作温度: | - |
| 取付タイプ: | - |
| サプライヤー デバイス パッケージ: | - |
| パッケージ・ケース: | - |
 |
SUG80050E-GE3 | MOSFET N-CH 150V 100A TO247AC | 1199 注文の詳細 |
 |
IRF520 | MOSFET N-CH 100V 9.2A TO220AB | 15723 注文の詳細 |
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SSS1N60B | N-CHANNEL POWER MOSFET | 4681 注文の詳細 |
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IXFX80N60P3 | MOSFET N-CH 600V 80A PLUS247-3 | 815 注文の詳細 |
 |
AO4468 | MOSFET N-CH 30V 10.5A 8SOIC | 1058 注文の詳細 |
 |
SPI11N60S5 | N-CHANNEL POWER MOSFET | 1210 注文の詳細 |
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BUK763R8-80E,118 | MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK | 1768 注文の詳細 |
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NTTS2P03R2 | MOSFET P-CH 30V 2.1A MICRO8 | 170269 注文の詳細 |
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IXTA340N04T4-7 | MOSFET N-CH 40V 340A TO263-7 | 906 注文の詳細 |
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IRLML6246TRPBF | MOSFET N-CH 20V 4.1A SOT23 | 81607 注文の詳細 |
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IPB120N06S4H1ATMA2 | MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3 | 1876 注文の詳細 |
 |
DMP3018SFK-7 | MOSFET P-CH 30V 10.2A 6UDFN | 848 注文の詳細 |
 |
STD11N60DM2 | MOSFET N-CH 650V 10A DPAK | 981 注文の詳細 |
| 在庫あり | 15882 - 注文の詳細 |
|---|---|
| 見積もり制限 | 制限なし |
| リードタイム | 確認予定 |
| 最小 | 1 |
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| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $2.20000 | $2.2 |
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