参考まで
部品番号 | SUG80050E-GE3 |
LIXINC Part # | SUG80050E-GE3 |
メーカー | Vishay / Siliconix |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET N-CH 150V 100A TO247AC |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | SUG80050E-GE3 PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Jul 05 - Jul 09 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | ![]() |
運送 | ![]() |
部品番号: | SUG80050E-GE3 |
ブランド: | Vishay / Siliconix |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Vishay / Siliconix |
シリーズ: | ThunderFET® |
パッケージ: | Tube |
部品の状態: | Active |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 150 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 100A (Tc) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 7.5V, 10V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 5.4mOhm @ 20A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 4V @ 250µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 165 nC @ 10 V |
vgs (最大): | ±20V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 6250 pF @ 75 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 500W (Tc) |
動作温度: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
取付タイプ: | Through Hole |
サプライヤー デバイス パッケージ: | TO-247AC |
パッケージ・ケース: | TO-247-3 |
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IRF520 | MOSFET N-CH 100V 9.2A TO220AB | 15781 注文の詳細 |
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SSM6J412TU,LF | MOSFET P-CH 20V 4A UF6 | 8249 注文の詳細 |
在庫あり | 11223 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $5.39000 | $5.39 |
10 | $4.80939 | $48.0939 |
100 | $3.94378 | $394.378 |
500 | $3.19351 | $1596.755 |
1000 | $2.69333 | $2693.33 |
2500 | $2.55866 | $6396.65 |
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