参考まで
| 部品番号 | SSS1N60B |
| LIXINC Part # | SSS1N60B |
| メーカー | Rochester Electronics |
| カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 説明 | N-CHANNEL POWER MOSFET |
| ライフサイクル | アクティブ |
| RoHS | RoHS情報なし |
| EDA/CAD モデル | SSS1N60B PCBフットプリントとシンボル |
| 倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
| お届け予定日 | Jul 05 - Jul 09 2024(お急ぎ便をお選びください) |
| 保証 | 最長1年【限定保証】* |
| 支払い | 
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| 運送 |  |
| 部品番号: | SSS1N60B |
| ブランド: | Rochester Electronics |
| ライフサイクル: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
| サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| メーカー: | Rochester Electronics |
| シリーズ: | * |
| パッケージ: | Bulk |
| 部品の状態: | Active |
| フェチタイプ: | - |
| テクノロジー: | - |
| ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | - |
| 電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | - |
| ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | - |
| (最大) @ id、vgs の rds: | - |
| vgs(th) (最大) @ ID: | - |
| ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | - |
| vgs (最大): | - |
| 入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | - |
| フェチ機能: | - |
| 消費電力 (最大): | - |
| 動作温度: | - |
| 取付タイプ: | - |
| サプライヤー デバイス パッケージ: | - |
| パッケージ・ケース: | - |
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IXFX80N60P3 | MOSFET N-CH 600V 80A PLUS247-3 | 856 注文の詳細 |
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AO4468 | MOSFET N-CH 30V 10.5A 8SOIC | 1091 注文の詳細 |
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SPI11N60S5 | N-CHANNEL POWER MOSFET | 1277 注文の詳細 |
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BUK763R8-80E,118 | MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK | 1672 注文の詳細 |
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NTTS2P03R2 | MOSFET P-CH 30V 2.1A MICRO8 | 170339 注文の詳細 |
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IXTA340N04T4-7 | MOSFET N-CH 40V 340A TO263-7 | 804 注文の詳細 |
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IRLML6246TRPBF | MOSFET N-CH 20V 4.1A SOT23 | 81643 注文の詳細 |
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IPB120N06S4H1ATMA2 | MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3 | 1783 注文の詳細 |
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DMP3018SFK-7 | MOSFET P-CH 30V 10.2A 6UDFN | 971 注文の詳細 |
 |
STD11N60DM2 | MOSFET N-CH 650V 10A DPAK | 899 注文の詳細 |
 |
SSM6J412TU,LF | MOSFET P-CH 20V 4A UF6 | 8251 注文の詳細 |
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SQD10N30-330H_GE3 | MOSFET N-CH 300V 10A TO252AA | 1654 注文の詳細 |
 |
NVMYS2D1N04CLTWG | MOSFET N-CH 40V 29A/132A LFPAK4 | 845 注文の詳細 |
| 在庫あり | 14630 - 注文の詳細 |
|---|---|
| 見積もり制限 | 制限なし |
| リードタイム | 確認予定 |
| 最小 | 1 |
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| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $0.14000 | $0.14 |
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