参考まで
部品番号 | SQJQ906EL-T1_GE3 |
LIXINC Part # | SQJQ906EL-T1_GE3 |
メーカー | Vishay / Siliconix |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ |
説明 | MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK8X8 |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | SQJQ906EL-T1_GE3 PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Sep 22 - Sep 26 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
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部品番号: | SQJQ906EL-T1_GE3 |
ブランド: | Vishay / Siliconix |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ |
メーカー: | Vishay / Siliconix |
シリーズ: | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
パッケージ: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
部品の状態: | Active |
フェチタイプ: | 2 N-Channel (Dual) |
フェチ機能: | Standard |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 40V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 160A (Tc) |
(最大) @ id、vgs の rds: | 4.3mOhm @ 5A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 2.5V @ 250µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 45nC @ 10V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 3238pF @ 20V |
パワー - 最大: | 187W |
動作温度: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
取付タイプ: | Surface Mount |
パッケージ・ケース: | PowerPAK® 8 x 8 Dual |
サプライヤー デバイス パッケージ: | PowerPAK® 8 x 8 Dual |
SI3585CDV-T1-GE3 | MOSFET N/P-CH 20V 3.9A 6TSOP | 14338 注文の詳細 |
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TPC8223-H,LQ(S | MOSFET 2N-CH 30V 9A 8SOP | 836 注文の詳細 |
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NX3008CBKS,115 | MOSFET N/P-CH 30V 6TSSOP | 7730 注文の詳細 |
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BSS84DW-7-F | MOSFET 2P-CH 50V 0.13A SC70-6 | 86123 注文の詳細 |
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IPG20N06S415ATMA1 | IPG20N06S4-15- 55V-60V N-CHANNEL | 872 注文の詳細 |
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NTE2960 | MOSFET-N-CHAN ENHANCEMENT | 1020 注文の詳細 |
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SIZ300DT-T1-GE3 | MOSFET 2N-CH 30V 11A POWERPAIR | 887 注文の詳細 |
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BSM180D12P3C007 | SIC POWER MODULE | 872 注文の詳細 |
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FDMC3300NZA | N-CHANNEL POWER MOSFET | 9989 注文の詳細 |
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PMDPB55XP,115 | MOSFET 2P-CH 20V 3.4A 6HUSON | 906 注文の詳細 |
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FW274-TL-E | N-CHANNEL MOSFET | 15981 注文の詳細 |
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ZXMC3AM832TA | MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8MLP | 1369 注文の詳細 |
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PMV50ENEA,215 | 3.9A, 30V, N CHANNEL, SILICON, M | 9987 注文の詳細 |
在庫あり | 12197 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $2.53000 | $2.53 |
2000 | $1.28190 | $2563.8 |
6000 | $1.23742 | $7424.52 |
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